ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 256
11) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия |
| Тип доклада | приглашенный |
| Дата участия | 26.09.2023 - 29.09.2023 |
12) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов |
| Тип доклада | устный |
| Дата участия | 04.09.2023 - 08.09.2023 |
13) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 04.09.2023 - 08.09.2023 |
14) Лазерные, плазменные исследования и технологии. ЛаПлаз-2023. IX Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 28.03.2023 - 31.03.2023 |
15) Нанофизика и наноэлектроника. XXVII Международный симпозиум
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 13.03.2023 - 16.03.2023 |
16) Нанофизика и наноэлектроника. XXVII Международный симпозиум
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 13.03.2023 - 16.03.2023 |
17) XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике (XII International conference on photonics and information optics)
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 01.02.2023 - 03.02.2023 |
18) XV Российская конференция по физике полупроводников
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Анализ сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур в системе Ge/S |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 03.10.2022 - 07.10.2022 |
19) XV Российская конференция по физике полупроводников
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 03.10.2022 - 07.10.2022 |
20) Кремний 2022. XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследования сверхструктурных переходов при эпитакcиальном росте Ge/Si и GeSi/Si |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 26.09.2022 - 30.09.2022 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 247
Публикации в рамках конференций
| 1 | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286. |
|
|
| 2 | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607. |
|
|
| 3 | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326 |
|
|
| 4 | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329 |
|
|
| 5 | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334 |
|
|
| 6 | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339 |
|
|
| 7 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305. |
|
|
| 8 | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541. |
|
|
| 9 | Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686. |
|
|
| 10 | Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность