Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 271
11) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.01.2025 - 31.01.2025 |
12) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 27.01.2025 - 31.01.2025 |
13) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 07.10.2024 - 11.10.2024 |
14) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 16.09.2024 - 20.09.2024 |
15) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
16) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
17) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
18) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
19) Saint Petersburg OPEN 2024. 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Saint Petersburg OPEN 2024. Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Study of the Formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 14.05.2024 - 17.05.2024 |
20) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 11.03.2024 - 15.03.2024 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 261
Публикации в рамках конференций
| 1 | Механизмы дефектообразования рентгеновским излучением на границе раздела поверхностный окисел – антимонид индия / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, Р.Ш. Рамакоти, А.А. Степаненко [и др.] // XII Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2026» : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2026. С. 292. |
|
|
| 2 | Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276. |
|
|
| 3 | Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.П. Мелехов, Р.Ш. Рамакоти [и др.] // XI Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025» : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 204. |
|
|
| 4 | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346. |
|
|
| 5 | Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором / И.И. Ижнин, А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 22. |
|
|
| 6 | Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 132. |
|
|
| 7 | Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев, М.В. Дорогов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 152. |
|
|
| 8 | Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 318. |
|
|
| 9 | Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 331. |
|
|
| 10 | Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 169‒170. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность