Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 258
131) Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Седьмая Международная конференция посвященная памяти профессора С.С. Горелика.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.10.2017 - 05.10.2017
132) Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Седьмая Международная конференция посвященная памяти профессора С.С. Горелика.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.10.2017 - 05.10.2017
133) Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Седьмая Международная конференция посвященная памяти профессора С.С. Горелика.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Поверхностное дефектообразование в Cdx Hg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы
Тип доклада устный
Дата участия 02.10.2017 - 05.10.2017
134) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2017. VII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
Тип доклада устный
Дата участия 18.09.2017 - 22.09.2017
135) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2017. VII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком Al2O3/CdTe
Тип доклада устный
Дата участия 18.09.2017 - 22.09.2017
136) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2017. VII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Расчет критической толщины перехода по СтранскомуКрастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
Тип доклада устный
Дата участия 18.09.2017 - 22.09.2017
137) Фотоника 2017. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Многоэлементные фотоприемники ультрафиолетового диапазона на основе алмаза
Тип доклада устный
Дата участия 11.09.2017 - 15.09.2017
138) Фотоника 2017. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Дефектная структура в As имплантированных пленках CdHgTe, полученных методом МЛЭ
Тип доклада устный
Дата участия 11.09.2017 - 15.09.2017
139) Фотоника 2017. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Моделирование процессов формирования квантовых точек в системе GeSn/Si
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.09.2017 - 15.09.2017
140) Фотоника 2017. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Диагностика электрофизических параметров структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для пассивации поверхности инфракрасных детекторов
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.09.2017 - 15.09.2017

Общее число публикаций в рамках конференций - 249
Публикации в рамках конференций
1 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
2 Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607.
3 Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326
4 Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329
5 Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334
6 Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339
7 Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36.
8 Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133.
9 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
10 Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.