Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 258
131) Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Седьмая Международная конференция посвященная памяти профессора С.С. Горелика.
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 02.10.2017 - 05.10.2017 |
132) Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Седьмая Международная конференция посвященная памяти профессора С.С. Горелика.
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 02.10.2017 - 05.10.2017 |
133) Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Седьмая Международная конференция посвященная памяти профессора С.С. Горелика.
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Поверхностное дефектообразование в Cdx Hg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы |
Тип доклада | устный |
Дата участия | 02.10.2017 - 05.10.2017 |
134) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2017. VII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111) |
Тип доклада | устный |
Дата участия | 18.09.2017 - 22.09.2017 |
135) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2017. VII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком Al2O3/CdTe |
Тип доклада | устный |
Дата участия | 18.09.2017 - 22.09.2017 |
136) Актуальные проблемы радиофизики. АПР - 2017. VII Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Расчет критической толщины перехода по СтранскомуКрастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si |
Тип доклада | устный |
Дата участия | 18.09.2017 - 22.09.2017 |
137) Фотоника 2017. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Многоэлементные фотоприемники ультрафиолетового диапазона на основе алмаза |
Тип доклада | устный |
Дата участия | 11.09.2017 - 15.09.2017 |
138) Фотоника 2017. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Дефектная структура в As имплантированных пленках CdHgTe, полученных методом МЛЭ |
Тип доклада | устный |
Дата участия | 11.09.2017 - 15.09.2017 |
139) Фотоника 2017. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Моделирование процессов формирования квантовых точек в системе GeSn/Si |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 11.09.2017 - 15.09.2017 |
140) Фотоника 2017. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Диагностика электрофизических параметров структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для пассивации поверхности инфракрасных детекторов |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 11.09.2017 - 15.09.2017 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 249
Публикации в рамках конференций
1 | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286. |
|
|
2 | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607. |
|
|
3 | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326 |
|
|
4 | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329 |
|
|
5 | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334 |
|
|
6 | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339 |
|
|
7 | Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36. |
|
|
8 | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133. |
|
|
9 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305. |
|
|
10 | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность