ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 257
121) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Об особенностях эффекта Холла в МЛЭ и ЖФЭ гетероэпитаксиальных структурах n-CdxHg1-xTe в импульсном магнитном поле до 55 Тл
Тип доклада устный
Дата участия 24.05.2018 - 26.05.2018
122) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe
Тип доклада устный
Дата участия 24.05.2018 - 26.05.2018
123) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.05.2018 - 26.05.2018
124) VII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Пороговые характеристики инфракрасных МДП-детекторов на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 24.01.2018 - 26.01.2018
125) Оптика-2017. Х Международная конференция молодых ученых и специалистов
Уровень конференции Международный
Тема доклада Фотолюминесценция в одиночных квантовых ямах HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 16.10.2017 - 20.10.2017
126) Оптика-2017. Х Международная конференция молодых ученых и специалистов
Уровень конференции Международный
Тема доклада Пути создания примников ИК-излучения на основе nBn структур CdHgTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 16.10.2017 - 20.10.2017
127) Полупроводники-2017. XIII Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Кинетика формирования наноструктур с квантовыми точками в системах GexSi1-x/Sn/Si и GexSnySi1-x-y/Si
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.10.2017 - 06.10.2017
128) Полупроводники-2017. XIII Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Дефекты в имплантированных As МЛЭ структурах CdHgTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.10.2017 - 06.10.2017
129) Полупроводники-2017. XIII Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада О конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1xTe в процессе отжига в равновесных парах ртути
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.10.2017 - 06.10.2017
130) Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Седьмая Международная конференция посвященная памяти профессора С.С. Горелика.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.10.2017 - 05.10.2017

Общее число публикаций в рамках конференций - 248
Публикации в рамках конференций
1 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
2 Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607.
3 Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326
4 Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329
5 Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334
6 Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339
7 Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36.
8 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
9 Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.
10 Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность