ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 264
121) Sensor Electronics and Microsystem Technologies (SEMST-8). 8th International Scientific and Technical Conference (with the Exhibition of sensor developments and industrial samples)
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Radiation donor defect profiles in arsenic-implanted HgCdTe film |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 28.05.2018 - 01.06.2018 |
122) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.05.2018 - 26.05.2018 |
123) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Моделирование зонных диаграмм барьерных структур на основе КРТ |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.05.2018 - 26.05.2018 |
124) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.05.2018 - 26.05.2018 |
125) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.05.2018 - 26.05.2018 |
126) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | О природе конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжига |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.05.2018 - 26.05.2018 |
127) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | О нагреве Cd0,22Hg0,78Te в процессе ионно-лучевого травления |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.05.2018 - 26.05.2018 |
128) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Об особенностях эффекта Холла в МЛЭ и ЖФЭ гетероэпитаксиальных структурах n-CdxHg1-xTe в импульсном магнитном поле до 55 Тл |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 24.05.2018 - 26.05.2018 |
129) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 24.05.2018 - 26.05.2018 |
130) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.05.2018 - 26.05.2018 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 253
Публикации в рамках конференций
| 1 | Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276. |
|
|
| 2 | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346. |
|
|
| 3 | Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором / И.И. Ижнин, А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 22. |
|
|
| 4 | Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 132. |
|
|
| 5 | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286. |
|
|
| 6 | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607. |
|
|
| 7 | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326 |
|
|
| 8 | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329 |
|
|
| 9 | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334 |
|
|
| 10 | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339 |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность