ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 257
111) Nanotechnology and nanomatherials. NANO-2018. VI International research and practice conference
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Interactions between islands in thermodynamic and kinetic models of epitaxial quantum dot growth |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 27.08.2018 - 30.08.2018 |
112) Nanotechnology and nanomatherials. NANO-2018. VI International research and practice conference
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Electrical properties of n-HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 27.08.2018 - 30.08.2018 |
113) Nanotechnology and nanomatherials. NANO-2018. VI International research and practice conference
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Srucrural defects study of HgTe/CdHgTe quantum wells |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 27.08.2018 - 30.08.2018 |
114) Sensor Electronics and Microsystem Technologies (SEMST-8). 8th International Scientific and Technical Conference (with the Exhibition of sensor developments and industrial samples)
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Radiation donor defect profiles in arsenic-implanted HgCdTe film |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 28.05.2018 - 01.06.2018 |
115) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.05.2018 - 26.05.2018 |
116) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Моделирование зонных диаграмм барьерных структур на основе КРТ |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.05.2018 - 26.05.2018 |
117) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.05.2018 - 26.05.2018 |
118) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.05.2018 - 26.05.2018 |
119) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | О природе конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжига |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.05.2018 - 26.05.2018 |
120) XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | О нагреве Cd0,22Hg0,78Te в процессе ионно-лучевого травления |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.05.2018 - 26.05.2018 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 248
Публикации в рамках конференций
| 1 | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286. |
|
|
| 2 | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607. |
|
|
| 3 | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326 |
|
|
| 4 | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329 |
|
|
| 5 | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334 |
|
|
| 6 | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339 |
|
|
| 7 | Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36. |
|
|
| 8 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305. |
|
|
| 9 | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541. |
|
|
| 10 | Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность