ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 261
101) Фотоника-2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Термические отжиги имплантированных мышьяком МЛЭ пленок CdHgTe |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 27.05.2019 - 31.05.2019 |
102) VIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические и излучательные свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем Alq3 |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 23.01.2019 - 25.01.2019 |
103) Актуальные проблемы оптотехники. Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики многослойных структур для органических светодиодов |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 22.10.2018 |
104) Актуальные проблемы оптотехники. Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Моделирование емкостных характеристик гибридных органо-неорганических систем с учетом влияния последовательного сопротивления и состояний на границе раздела |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 22.10.2018 |
105) State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects STRANN-2018. VI International Conference
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Modeling of epitaxial quantum dots growth with respect to the interactions between islands |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 17.10.2018 - 19.10.2018 |
106) State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects STRANN-2018. VI International Conference
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Numerical simulation of the effect of slow surface states of a nanosized transition layer on the admittance of hybrid organic-inorganic systems |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 17.10.2018 - 19.10.2018 |
107) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2018. X Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Профили структурных дефектов в имплатированных мышьяком эпитаксиальных пленках CdHgTe по данным оптического отражения |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 15.10.2018 - 19.10.2018 |
108) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2018. X Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 15.10.2018 - 19.10.2018 |
109) VIII Ukrainian scientific conference on physics of semiconductors (USCPS-8)
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Profiles of radiation donor defects distribution in HgCdTe epitaxial films implanted with arsenic |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 02.10.2018 - 04.10.2018 |
110) Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2018). 6th International Congress
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | The relaxation of electrophysical properties of MCT epitaxial films after influence of a high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric pressure air |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 16.09.2018 - 22.09.2018 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 250
Публикации в рамках конференций
| 1 | Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276. |
|
|
| 2 | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286. |
|
|
| 3 | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607. |
|
|
| 4 | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326 |
|
|
| 5 | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329 |
|
|
| 6 | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334 |
|
|
| 7 | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339 |
|
|
| 8 | Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36. |
|
|
| 9 | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133. |
|
|
| 10 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность