ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 256
101) State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects STRANN-2018. VI International Conference
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Numerical simulation of the effect of slow surface states of a nanosized transition layer on the admittance of hybrid organic-inorganic systems |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 17.10.2018 - 19.10.2018 |
102) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2018. X Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Профили структурных дефектов в имплатированных мышьяком эпитаксиальных пленках CdHgTe по данным оптического отражения |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 15.10.2018 - 19.10.2018 |
103) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2018. X Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 15.10.2018 - 19.10.2018 |
104) VIII Ukrainian scientific conference on physics of semiconductors (USCPS-8)
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Profiles of radiation donor defects distribution in HgCdTe epitaxial films implanted with arsenic |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 02.10.2018 - 04.10.2018 |
105) Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2018). 6th International Congress
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | The relaxation of electrophysical properties of MCT epitaxial films after influence of a high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric pressure air |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 16.09.2018 - 22.09.2018 |
106) Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2018). 6th International Congress
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Investigation of the effect of soft x-ray radiation on the electrophysical characteristics of epitaxial layers n-Hg1-xCdxTe |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 16.09.2018 - 22.09.2018 |
107) Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2018). 6th International Congress
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 16.09.2018 - 22.09.2018 |
108) 2018 IEEE 8th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP-2018)
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Transmission Electron Microscopy Study of HgTe/CdHgTe Quantum Wells |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 09.09.2018 - 14.09.2018 |
109) 2018 IEEE 8th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP-2018)
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Influence of Direct Impingement of Atoms onto the Islands During the Stranski-Krastanow Growth |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 09.09.2018 - 14.09.2018 |
110) Nanotechnology and nanomatherials. NANO-2018. VI International research and practice conference
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Interactions between islands in thermodynamic and kinetic models of epitaxial quantum dot growth |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 27.08.2018 - 30.08.2018 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 247
Публикации в рамках конференций
| 1 | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286. |
|
|
| 2 | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607. |
|
|
| 3 | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326 |
|
|
| 4 | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329 |
|
|
| 5 | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334 |
|
|
| 6 | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339 |
|
|
| 7 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305. |
|
|
| 8 | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541. |
|
|
| 9 | Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686. |
|
|
| 10 | Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность