Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 271
91) XIV Международная конференция по импульсным лазерам и применением лазеров. XIV International conference on pulsed lasers and laser applications – AMPL-2019
Уровень конференции Международный
Тема доклада Designing laser systems for the diagnosis of gas-aerosol media
Тип доклада секционный
Дата участия 15.09.2019 - 20.09.2019
92) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Кинетические модели роста наноструктур по механизмам Франка-ван дер Мерве, Фольмера-Вебера и Странского-Крастанова
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.09.2019 - 13.09.2019
93) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.09.2019 - 13.09.2019
94) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.09.2019 - 13.09.2019
95) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Диагностика многослойных структур на основе органических полупроводников при помощи методов спектроскопии адмиттанса и переходной электролюминесценции
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.09.2019 - 13.09.2019
96) Полупроводники-2019. XIV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.09.2019 - 13.09.2019
97) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2019. 7th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Unipolar superlattice structures based on MBE HgCdTe for infrared detection
Тип доклада постер
Дата участия 27.08.2019 - 30.08.2019
98) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2019. 7th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Epitaxial synthesis of 2D materials of group IV elements
Тип доклада постер
Дата участия 27.08.2019 - 30.08.2019
99) Nanotechnologies and Nanomaterials NANO-2019. 7th International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM
Тип доклада постер
Дата участия 27.08.2019 - 30.08.2019
100) 21-st International conference on surface modification of materials by ion beams (SMMIB-2019)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Admittance studies of modification of HgCdTesurface properties with ion implantation and thermal annealing
Тип доклада постер
Дата участия 25.08.2019 - 30.08.2019

Общее число публикаций в рамках конференций - 261
Публикации в рамках конференций
1 Механизмы дефектообразования рентгеновским излучением на границе раздела поверхностный окисел – антимонид индия / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, Р.Ш. Рамакоти, А.А. Степаненко [и др.] // XII Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2026» : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2026. С. 292.
2 Электрические характеристики nB(SL)n - структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 275‒276.
3 Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.П. Мелехов, Р.Ш. Рамакоти [и др.] // XI Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025» : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2025. С. 204.
4 Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника. XXIX симпозиум, 10–14 марта 2025 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Н. Новгород, 2025. С. 346.
5 Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором / И.И. Ижнин, А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 22.
6 Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2025 : тезисы докладов Российской конференции и школы молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 8-12 сентября 2025 г. / ИФП СО РАН. М.: Перо, 2025. С. 132.
7 Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, К.Д. Мынбаев, М.В. Дорогов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 152.
8 Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 318.
9 Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов (13-18 октября 2025 г.). СПб.: Университет ИТМО, 2025. С. 331.
10 Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2025. 11-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 16-18 сентября 2025 г. : сборник трудов. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2025. С. 169‒170.