Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 253
91) Фотоника-2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П. Электрофизические и оптические свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203 //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 164.
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.05.2019 - 31.05.2019
92) Фотоника-2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Адмиттанс гибридных органо-неорганических структур на основе пентацена в широком диапазоне температур //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 165.
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.05.2019 - 31.05.2019
93) Фотоника-2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Термические отжиги имплантированных мышьяком МЛЭ пленок CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А. [и др.] // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 177. DOI: 10.34077/RCSP2019-177
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.05.2019 - 31.05.2019
94) VIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические и излучательные свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем Alq3 / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Коханенко А.П., Дирко В.В. [и др.] // VIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2019. С. 405‒406.
Тип доклада стендовый
Дата участия 23.01.2019 - 25.01.2019
95) Актуальные проблемы оптотехники. Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Электрофизические характеристики многослойных структур для органических светодиодов //Актуальные проблемы оптотехники : сб. материалов Национальной науч.-техн. конф. Новосибирск: СГУГиТ, 2018. С. 66-70.
Тип доклада устный
Дата участия 22.10.2018
96) Актуальные проблемы оптотехники. Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Моделирование емкостных характеристик гибридных органо-неорганических систем с учетом влияния последовательного сопротивления и состояний на границе раздела //Актуальные проблемы оптотехники : сб. материалов Национальной науч.-техн. конф. Новосибирск: СГУГиТ, 2018. С. 61-65.
Тип доклада устный
Дата участия 22.10.2018
97) State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects STRANN-2018. VI International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A. Modeling of epitaxial quantum dots growth with respect to the interactions between islands // STRANN-2018. State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, VI International Conference, 17-19 october 2018, Moscow : abstracts. [S. l.], 2018. P. 181‒182.
Тип доклада стендовый
Дата участия 17.10.2018 - 19.10.2018
98) State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects STRANN-2018. VI International Conference
Уровень конференции Международный
Тема доклада Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Lozovoy K.A. Numerical simulation of the effect of slow surface states of a nanosized transition layer on the admittance of hybrid organic-inorganic systems // STRANN-2018. State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, VI International Conference, 17-19 october 2018, Moscow : abstracts. [S. l.], 2018. P. 183‒185.
Тип доклада стендовый
Дата участия 17.10.2018 - 19.10.2018
99) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2018. X Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Профили структурных дефектов в имплатированных мышьяком эпитаксиальных пленках CdHgTe по данным оптического отражения / Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д. [и др.] // Сборник трудов X Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики – 2018», Санкт-Петербург, 15-19 окт. 2018 г. СПб.: Университет ИТМО, 2018. С. 389‒390.
Тип доклада стендовый
Дата участия 15.10.2018 - 19.10.2018
100) Фундаментальные проблемы оптики ФПО-2018. X Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К //Сборник трудов X Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики – 2018», Санкт-Петербург, 15-19 окт. 2018 г. СПб.: Университет ИТМО, 2018. С. 395-397.
Тип доклада стендовый
Дата участия 15.10.2018 - 19.10.2018

Общее число публикаций в рамках конференций - 242
Публикации в рамках конференций
1 Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
2 Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
3 Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.
4 Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686.
5 Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43.
6 Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85
7 Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143
8 Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269.
9 Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒272.
10 К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 295‒296.