Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 275
1) Кремний-2026. XVI Конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Термодинамическая модель образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом
Тип доклада секционный
Дата участия 13.07.2026 - 17.07.2026
2) XXVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Квантовые наноструктуры HgCdTe для ИК фотоприемников
Тип доклада пленарный
Дата участия 27.05.2026 - 29.05.2026
3) XXVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеризация МДП-систем на основе структур LWIR nBn HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.05.2026 - 29.05.2026
4) XXVIII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические и фотоэлектрические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области для LWIR диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.05.2026 - 29.05.2026
5) Лазерные, плазменные исследования и технологии ЛаПлаз-2026. XII Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы дефектообразования рентгеновским излучением на границе раздела поверхностный окисел – антимонид индия
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.02.2026 - 06.02.2026
6) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe
Тип доклада секционный
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
7) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий
Тип доклада стендовый
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
8) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре
Тип доклада стендовый
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
9) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса
Тип доклада пленарный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
10) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025

Общее число публикаций в рамках конференций - 265
Публикации в рамках конференций
81 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Электрофизические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 156.
82 Средин В.Г., Войцеховский А.В. Модель дефектообразования в CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучении // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 130. DOI: 10.34077/RCSP2019-130
83 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Диагностика МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при высокой плотности медленных поверхностных состояний //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 157.
84 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П. Электрофизические и оптические свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203 //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 164.
85 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Адмиттанс гибридных органо-неорганических структур на основе пентацена в широком диапазоне температур //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 165.
86 Термические отжиги имплантированных мышьяком МЛЭ пленок CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А. [и др.] // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 177. DOI: 10.34077/RCSP2019-177
87 Электрофизические и излучательные свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем Alq3 / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Коханенко А.П., Дирко В.В. [и др.] // VIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2019. С. 405‒406.
88 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Дирко В.В., Войцеховский А.В. Кинетические модели роста наноструктур по механизмам Франка-ван дер Мерве, Фольмера-Вебера и Странского-Крастанова //XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 1. М.: Перо, 2019. С. 111.
89 Средин В.Г., Сахаров М.В., Войцеховский А.В. Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 1. М.: Перо, 2019. С. 134. DOI: 10.34077/Semicond2019-134
90 Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А. [и др.] // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 2. М.: Перо, 2019. С. 324. DOI: 10.34077/Semicond2019-324