Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 261
1) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2025 - 31.01.2025
2) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2025 - 31.01.2025
3) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 07.10.2024 - 11.10.2024
4) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2024 - 20.09.2024
5) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
7) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
8) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
9) Saint Petersburg OPEN 2024. 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Saint Petersburg OPEN 2024. Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам
Уровень конференции Международный
Тема доклада Study of the Formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method
Тип доклада секционный
Дата участия 14.05.2024 - 17.05.2024
10) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024

Общее число публикаций в рамках конференций - 250
Публикации в рамках конференций
81 Адмиттанс многослойных органо-неорганических систем на основе пентацена в широком диапазоне температур / Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Копылова Т.Н. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 366‒367.
82 Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 368‒369.
83 Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл–диэлектрик–полупроводник / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Ижнин И.И. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 370.
84 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Дирко В.В., Войцеховский А.В. Рост квантовых точек Ge на окисленной поверхности Si //Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 372.
85 Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 375‒377.
86 К проблеме дефектообразования в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Средин В.Г. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 412‒413.
87 Admittance studies of modification of HgCdTesurface properties with ion implantation and thermal annealing / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Nesmelov S.N. [et al] // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 147.
88 Korotaev A.G., Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V. Kinetics of formation of nanostructures by Frank-van der Merwe, Volmer-Weber and Stranski-Krastanow growth modes // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 149.
89 Hall effect studies of modification of HgCdTe surface properties with ion implantation and thermal annealing / Korotaev A.G., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N. [et al] // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 148.
90 The relaxation of electrophysical properties HgCdTeepitaxial films affected by plasma of high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air / Korotaev A.G., Grigoryev D.V., Voitsekhovskii A.V., Lozovoy K.A. [et al] // The 21st international conference on surface modification of materials by lon beams. SMMIB-2019, 25-30 august 2019, Tomsk : abstract book. Tomsk, 2019. P. 150.