Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 256
1) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
2) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
3) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As |
Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
4) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
5) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 11.03.2024 - 15.03.2024 |
6) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 24.01.2024 - 26.01.2024 |
7) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 09.10.2023 - 13.10.2023 |
8) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 09.10.2023 - 13.10.2023 |
9) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений |
Тип доклада | приглашенный |
Дата участия | 26.09.2023 - 29.09.2023 |
10) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне |
Тип доклада | приглашенный |
Дата участия | 26.09.2023 - 29.09.2023 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 247
Публикации в рамках конференций
71 | Средин В.Г., Сахаров М.В., Войцеховский А.В. Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 1. М.: Перо, 2019. С. 134. DOI: 10.34077/Semicond2019-134 |
|
|
72 | Активационный отжиг имплантированных As МЛЭ структур CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А. [и др.] // XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 2. М.: Перо, 2019. С. 324. DOI: 10.34077/Semicond2019-324 |
|
|
73 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Диагностика многослойных структур на основе органических полупроводников при помощи методов спектроскопии адмиттанса и переходной электролюминесценции //XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 2. М.: Перо, 2019. С. 373. |
|
|
74 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках //XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Ч. 2. М.: Перо, 2019. С. 439. |
|
|
75 | Voitsekhovskaya O.K., Voitsekhovskii A.V. Designing laser systems for the diagnosis of gas-aerosol media // Pulsed lasers and laser applications. AMPL-2019 : abstracts of XIV International Conference. Tomsk: STT, 2019. P. 82. |
|
|
76 | Войцеховская О.К., Войцеховский А.В. Гибридный подход к разработке лазерных систем зондирования газово-аэрозольных сред // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 282. |
|
|
77 | Подвижность носителей заряда в OLED структурах с излучающими слоями ЯК-203 и Alq3 / Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 364‒365. |
|
|
78 | Адмиттанс многослойных органо-неорганических систем на основе пентацена в широком диапазоне температур / Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Копылова Т.Н. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 366‒367. |
|
|
79 | Электрофизические характеристики MWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 368‒369. |
|
|
80 | Влияние различных стадий процессов ионной имплантации и отжига в МЛЭ HgCdTe на адмиттанс тестовых структур металл–диэлектрик–полупроводник / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Ижнин И.И. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 1-4 октября 2019 г. : сборник трудов конференции. Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2019. С. 370. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность