ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 264
1) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 08.09.2025 - 12.09.2025 |
2) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 08.09.2025 - 12.09.2025 |
3) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 10.03.2025 - 14.03.2025 |
4) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.01.2025 - 31.01.2025 |
5) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 27.01.2025 - 31.01.2025 |
6) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 07.10.2024 - 11.10.2024 |
7) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 16.09.2024 - 20.09.2024 |
8) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
9) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
10) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 253
Публикации в рамках конференций
| 61 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути //Фундаментальные проблемы оптики – 2020 : сборник трудов XII Международной конференции, Санкт-Петербург, 19-23 октября 2020 г. СПб.: Университет ИТМО, 2020. С. 276-278. |
|
|
| 62 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Импеданс многослойных структур, перспективных для создания органических светодиодов //Фундаментальные проблемы оптики – 2020 : сборник трудов XII Международной конференции, Санкт-Петербург, 19-23 октября 2020 г. СПб.: Университет ИТМО, 2020. С. 279-281. |
|
|
| 63 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 8-9. |
|
|
| 64 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 17-18. |
|
|
| 65 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 19-20. |
|
|
| 66 | Коханенко А.П., Лозовой К.А., Дирко В.В., Войцеховский А.В. Рост наноструктур по механизму Фольмера–Вебера //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 38-39. |
|
|
| 67 | Радиационные донорные дефекты в имплантированных As пленках МЛЭ CdHgTe: пространственное распределение и природа / Коротаев А.Г., Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А. [и др.] // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 57. DOI: 10.34077/RCSP2019-57 |
|
|
| 68 | Коханенко А.П., Лозовой К.А., Духан Р.М. Х., Дирко В.В., Войцеховский А.В. Оптимизация режимов эпитаксиального синтеза структур с квантовыми точками для фотоприемников и солнечных элементов //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 107. |
|
|
| 69 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Электрофизические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 156. |
|
|
| 70 | Средин В.Г., Войцеховский А.В. Модель дефектообразования в CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучении // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 130. DOI: 10.34077/RCSP2019-130 |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность