ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 261
1) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.01.2025 - 31.01.2025 |
2) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 27.01.2025 - 31.01.2025 |
3) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 07.10.2024 - 11.10.2024 |
4) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 16.09.2024 - 20.09.2024 |
5) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
7) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
8) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
9) Saint Petersburg OPEN 2024. 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Saint Petersburg OPEN 2024. Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Study of the Formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 14.05.2024 - 17.05.2024 |
10) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 11.03.2024 - 15.03.2024 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 250
Публикации в рамках конференций
| 51 | Single-photon avalanche diode detectors based on group IV nanostructures / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Douhan R. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 417. |
|
|
| 52 | Admittance of barrier nanostructures based on MBE HgCdTe / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S. A. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 418. |
|
|
| 53 | Nanosize radiation defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films of n- and p-type studied with TEM/HRTEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Izhnin I.I. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 421. |
|
|
| 54 | Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic–implanted Hg0.7Cd0.3Te films / Voitsekhovskii A.V, Izhnin I.I., Korotaev A.G., Dvoretsky S. A. [et al] // 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online) : abstracts, 14-25 september 2020, Tomsk. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2020. P. 460. 1 CD-ROM. |
|
|
| 55 | Sredin V.G., Voitsekhovskii A.V., Melekhov A.P., Ramakoti R.S. Peculiarities of the external photoelectric effect in narrow-band sem-iconductors caused by soft X-ray radiation // 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2020 online) : abstracts, 14-25 september 2020, Tomsk. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2020. P. 461. 1 CD-ROM. |
|
|
| 56 | Accumulation and annealing of radiation donor defects in arsenic-implanted Hg0.7Cd0.3Te films / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Izhnin I.I., Mynbaev K.D. [et al] // 2020 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE). Proceedings. USA: IEEE, 2020. P. 1004‒1008. DOI: 10.1109/EFRE47760.2020.9241974 |
|
|
| 57 | Peculiarities of the External Photoelectric Effect in Narrow-Band Semiconductors Caused by Soft X-Ray Radiation / Voitsekhovskii A.V., Sredin V.G., Ramakoti R.S., Ananin O.B. [et al] // 2020 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE). Proceedings. USA: IEEE, 2020. P. 1009‒1011. DOI: 10.1109/EFRE47760.2020.9242145 |
|
|
| 58 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути //Фундаментальные проблемы оптики – 2020 : сборник трудов XII Международной конференции, Санкт-Петербург, 19-23 октября 2020 г. СПб.: Университет ИТМО, 2020. С. 276-278. |
|
|
| 59 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Импеданс многослойных структур, перспективных для создания органических светодиодов //Фундаментальные проблемы оптики – 2020 : сборник трудов XII Международной конференции, Санкт-Петербург, 19-23 октября 2020 г. СПб.: Университет ИТМО, 2020. С. 279-281. |
|
|
| 60 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 8-9. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность