ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 250
1) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269.
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
2) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒271.
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
3) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 295‒296.
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
4) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85
Тип доклада устный
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
5) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
6) Лазерные, плазменные исследования и технологии. ЛаПлаз-2023. IX Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43.
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 28.03.2023 - 31.03.2023
7) Нанофизика и наноэлектроника. XXVII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 13.03.2023 - 16.03.2023
8) Нанофизика и наноэлектроника. XXVII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686.
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 13.03.2023 - 16.03.2023
9) XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике (XII International conference on photonics and information optics)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 01.02.2023 - 03.02.2023
10) XV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Лозовой К.А., Дирко В.В., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Анализ сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур в системе Ge/S // XV Российская конференция по физике полупроводников, 3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Нижний Новгород: Изд-во ИПФ РАН, 2022. С. 73.
Тип доклада стендовый
Дата участия 03.10.2022 - 07.10.2022

Общее число публикаций в рамках конференций - 239
Публикации в рамках конференций
51 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 19-20.
52 Коханенко А.П., Лозовой К.А., Дирко В.В., Войцеховский А.В. Рост наноструктур по механизму Фольмера–Вебера //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 38-39.
53 Радиационные донорные дефекты в имплантированных As пленках МЛЭ CdHgTe: пространственное распределение и природа / Коротаев А.Г., Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А. [и др.] // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 57. DOI: 10.34077/RCSP2019-57
54 Коханенко А.П., Лозовой К.А., Духан Р.М. Х., Дирко В.В., Войцеховский А.В. Оптимизация режимов эпитаксиального синтеза структур с квантовыми точками для фотоприемников и солнечных элементов //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 107.
55 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Электрофизические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 156.
56 Средин В.Г., Войцеховский А.В. Модель дефектообразования в CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучении // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 130. DOI: 10.34077/RCSP2019-130
57 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Диагностика МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe при высокой плотности медленных поверхностных состояний //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 157.
58 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П. Электрофизические и оптические свойства органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203 //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 164.
59 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Адмиттанс гибридных органо-неорганических структур на основе пентацена в широком диапазоне температур //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 165.
60 Термические отжиги имплантированных мышьяком МЛЭ пленок CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А. [и др.] // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 177. DOI: 10.34077/RCSP2019-177

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность