Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 254
1) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
2) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
3) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
4) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
5) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
6) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
7) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
8) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов
Тип доклада устный
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
9) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
10) Лазерные, плазменные исследования и технологии. ЛаПлаз-2023. IX Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 28.03.2023 - 31.03.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 243
Публикации в рамках конференций
51 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Темновой ток и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе теллурида кадмия и ртути //Фундаментальные проблемы оптики – 2020 : сборник трудов XII Международной конференции, Санкт-Петербург, 19-23 октября 2020 г. СПб.: Университет ИТМО, 2020. С. 276-278.
52 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Импеданс многослойных структур, перспективных для создания органических светодиодов //Фундаментальные проблемы оптики – 2020 : сборник трудов XII Международной конференции, Санкт-Петербург, 19-23 октября 2020 г. СПб.: Университет ИТМО, 2020. С. 279-281.
53 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 8-9.
54 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Адмиттанс тестовых МДП-приборов на основе nBn-структур из МЛЭ HgCdTe //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 17-18.
55 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Электрофизические свойства МДП-структур на основе пентацена в широком диапазоне температур //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 19-20.
56 Коханенко А.П., Лозовой К.А., Дирко В.В., Войцеховский А.В. Рост наноструктур по механизму Фольмера–Вебера //Школа молодых ученых «Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем» (АППН-2020), 14-16 декабря 2020, Новосибирск : интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск: Дигит Про, 2020. С. 38-39.
57 Радиационные донорные дефекты в имплантированных As пленках МЛЭ CdHgTe: пространственное распределение и природа / Коротаев А.Г., Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А. [и др.] // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 57. DOI: 10.34077/RCSP2019-57
58 Коханенко А.П., Лозовой К.А., Духан Р.М. Х., Дирко В.В., Войцеховский А.В. Оптимизация режимов эпитаксиального синтеза структур с квантовыми точками для фотоприемников и солнечных элементов //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 107.
59 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Электрофизические характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 156.
60 Средин В.Г., Войцеховский А.В. Модель дефектообразования в CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучении // Фотоника 2019. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 27-31 мая 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Офсет-ТМ, 2019. С. 130. DOI: 10.34077/RCSP2019-130