ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 261
1) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2025 - 31.01.2025
2) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2025 - 31.01.2025
3) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 07.10.2024 - 11.10.2024
4) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2024 - 20.09.2024
5) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
7) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
8) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
9) Saint Petersburg OPEN 2024. 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Saint Petersburg OPEN 2024. Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам
Уровень конференции Международный
Тема доклада Study of the Formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method
Тип доклада секционный
Дата участия 14.05.2024 - 17.05.2024
10) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024

Общее число публикаций в рамках конференций - 250
Публикации в рамках конференций
31 Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2021. С. 603‒604.
32 Electrical properties of optimized nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Izhnin I.I. [et al] // International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2021), 25-27 august 2021, Lviv : abstract book. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2021. P. 44.
33 Single element 2D materials and methods of their epitaxial synthesis / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Dirko V.V. [et al] // International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2021), 25-27 august 2021, Lviv : abstract book. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2021. P. 43.
34 Fluence dependence of nanosize defect layers in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films studied with TEM/HRTEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Izhnin I.I. [et al] // International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2021), 25-27 august 2021, Lviv : abstract book. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2021. P. 378.
35 Unipolar barrier structures based on HgCdTe for infrared detection / Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Gorn D.I. [et al] // Pulsed Lasers and Laser Applications (AMPL-2021) : abstracts of XV International Conference. Tomsk: STT, 2021. P. 112‒113.
36 Лозовой К.А., Дирко В.В., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Моделирование особенностей эпитаксиального формирования 2D- и 3D-островков с учетом изменения физических параметров двумерных пленок с толщиной //Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 64.
37 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Григорьев Д.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Якушев М.В. Электрические характеристики MWIR и LWIR nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe //Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 136.
38 Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках Cd0.3Hg0.7Te: накопление и отжиг / Коротаев А.Г., Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А. [и др.] // Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 140. DOI: 10.34077/RCSP2021-140
39 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3 //Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2021. С. 147.
40 Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Григорьев Д.В. [и др.] // Девятая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" к 100-летию со дня рождения академика Б.К. Вайнштейна. Четвертая Международная Школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 22-26 ноября 2021 г. : сборник тезисов. Москва, 2021. С. 48.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность