ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 250
1) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269.
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
2) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒271.
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
3) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 295‒296.
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
4) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85
Тип доклада устный
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
5) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
6) Лазерные, плазменные исследования и технологии. ЛаПлаз-2023. IX Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43.
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 28.03.2023 - 31.03.2023
7) Нанофизика и наноэлектроника. XXVII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541.
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 13.03.2023 - 16.03.2023
8) Нанофизика и наноэлектроника. XXVII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686.
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 13.03.2023 - 16.03.2023
9) XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике (XII International conference on photonics and information optics)
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305.
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 01.02.2023 - 03.02.2023
10) XV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Лозовой К.А., Дирко В.В., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Анализ сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур в системе Ge/S // XV Российская конференция по физике полупроводников, 3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Нижний Новгород: Изд-во ИПФ РАН, 2022. С. 73.
Тип доклада стендовый
Дата участия 03.10.2022 - 07.10.2022

Общее число публикаций в рамках конференций - 239
Публикации в рамках конференций
31 Электрические свойства органо-неорганических систем на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3 / Дзядух С.М., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Копылова Т.Н. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2021: 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2021. С. 237‒238.
32 Электрофизические характеристики униполярных барьерных структур на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования в спектральных диапазонах 3 – 5 и 8 – 12 мкм / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2021: 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2021. С. 242‒243.
33 Дирко В.В., Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Анализ изменения поверхности при росте Ge, GeSi на Si(100) и Si(111) методом дифракции быстрых электронов // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2021: 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2021. С. 245.
34 Сигнальные и темновые свойства инфракрасных барьерных детекторов на основе теллурида кадмия ртути / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 413‒414.
35 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М. Импеданс органических светодиодных структур с термоактивированной замедленной флуоресценцией //IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 423-424.
36 Микроскопический механизм формирования поверхностных дефектов в CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением / Войцеховский А.В., Средин В.Г., Ананьин О.Б., Мелехов А.П. [и др.] // IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2020. С. 503‒504.
37 Войцеховский А.В., Лозовой К.А., Винарский В.П., Дирко В.В. Эпитаксиальное выращивание двумерных материалов по механизму Франка-Ван дер Мерве //НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 110-111.
38 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю., Каширский Д.Е., Горн Д.И., Лозовой К.А., Дирко В.В. Многослойные униполярные системы на основе HgCdTe для инфракрасного детектирования //НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 111-112.
39 Импеданс органических светоизлучающих диодов с термически активированной замедленной флуоресценцией / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Копылова Т.Н. [и др.] // НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам : сборник материалов, 18-22 мая 2020 г., Москва. М.: ИМЕТ РАН, 2020. С. 113‒114.
40 Single-photon avalanche diode detectors based on group IV nanostructures / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Douhan R. [et al] // Nanotechnology and nanomaterials (NANO-2020) : abstract book of international research and practice conference, 26-29 august 2020, Lviv. Kyiv: LLC "Computer-publishing, information center", 2020. P. 417.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность