Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 258
1) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции | Всероссийский |
Тема доклада | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 07.10.2024 - 11.10.2024 |
2) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) |
Тип доклада | устный |
Дата участия | 16.09.2024 - 20.09.2024 |
3) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
4) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
5) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As |
Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
7) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 11.03.2024 - 15.03.2024 |
8) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 24.01.2024 - 26.01.2024 |
9) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 09.10.2023 - 13.10.2023 |
10) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 09.10.2023 - 13.10.2023 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 249
Публикации в рамках конференций
21 | Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Дворецкий С.А. [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 252‒254. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-252 |
|
|
22 | Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками / А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский, К.А. Лозовой, Р.М. Духан [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 287‒289. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-287 |
|
|
23 | Темновые токи униполярных NbνN структур на основе HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород : 2 т. Т. 2. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2022. С. 720‒721. |
|
|
24 | Исследования сверхструктурных переходов при эпитакcиальном росте Ge/Si и GeSi/Si / В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко, К.А. Лозовой [и др.] // Кремний 2022 : тезисы докладов XIV Международной конференции и XIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 26-30 сентября 2022 г., Новосибирск. Москва: Перо, 2022. С. 58. DOI: 10.34077/SILICON2022-58 |
|
|
25 | Моделирование эпитаксиального формирования двумерных и нульмерных структур кремния и германия с учетом изменения зависимости их параметров от толщины / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, В.П. Винарский, А.П. Коханенко [и др.] // Кремний 2022 : тезисы докладов XIV Международной конференции и XIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 26-30 сентября 2022 г., Новосибирск. Москва: Перо, 2022. С. 118. DOI: 10.34077/SILICON2022-118 |
|
|
26 | Лозовой К.А., Дирко В.В., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Анализ сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур в системе Ge/S // XV Российская конференция по физике полупроводников, 3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Нижний Новгород: Изд-во ИПФ РАН, 2022. С. 73. |
|
|
27 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, Д.И. Горн [и др.] // XV Российская конференция по физике полупроводников, 3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Нижний Новгород: Изд-во ИПФ РАН, 2022. С. 343. |
|
|
28 | Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2021. С. 215‒216. |
|
|
29 | Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2021. С. 233‒234. |
|
|
30 | Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2021. С. 603‒604. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность