Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 262
1) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 10.03.2025 - 14.03.2025 |
2) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.01.2025 - 31.01.2025 |
3) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 27.01.2025 - 31.01.2025 |
4) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции | Всероссийский |
Тема доклада | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 07.10.2024 - 11.10.2024 |
5) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) |
Тип доклада | секционный |
Дата участия | 16.09.2024 - 20.09.2024 |
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
7) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
8) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As |
Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
9) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
10) Saint Petersburg OPEN 2024. 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Saint Petersburg OPEN 2024. Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Study of the Formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method |
Тип доклада | секционный |
Дата участия | 14.05.2024 - 17.05.2024 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 251
Публикации в рамках конференций
251 | Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Наблюдение спектров фотолюминесценции одиночной КЯ (d = 12.5 нм) на основе КРТ с х = 0.24 //Сборник трудов VII Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика-2011». Санкт-Петербург, 2011. С. 297-298. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность