Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 271
1) Лазерные, плазменные исследования и технологии ЛаПлаз-2026. XII Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы дефектообразования рентгеновским излучением на границе раздела поверхностный окисел – антимонид индия
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.02.2026 - 06.02.2026
2) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe
Тип доклада секционный
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
3) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий
Тип доклада стендовый
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
4) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре
Тип доклада стендовый
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
5) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса
Тип доклада пленарный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
6) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
7) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Модификация свойств границ раздела поверхностный окисел-антимонид индия мягким рентгеновским излучением
Тип доклада пленарный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
8) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором
Тип доклада секционный
Дата участия 08.09.2025 - 12.09.2025
9) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером
Тип доклада стендовый
Дата участия 08.09.2025 - 12.09.2025
10) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 10.03.2025 - 14.03.2025

Общее число публикаций в рамках конференций - 261
Публикации в рамках конференций
241 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Детекторы ИК диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si //Вакуумная наука и техника: Материалы XX юбилейной научно-технической конференции. Под ред. доктора технических наук, профессора Д.В. Быкова. МИЭМ НИУ ВШЭ. Москва, 2013. С. 184-187.
242 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Микроболометрические детекторы ИК диапазона на основе поликристаллического SiGe //Вакуумная наука и техника: Материалы XX юбилейной научно-технической конференции. Под ред. доктора технических наук, профессора Д.В. Быкова. МИЭМ НИУ ВШЭ. Москва, 2013. С. 188-191.
243 Мельников А.А., Коротаев А.Г., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Кульчицкий Н.А. Влияние облучения на характеристики HgCdTe ИК-фотодетекторов //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения Часть 1. Москва: МГТУ МИРЭА – ИРЭ РАН, 2011. С. 143-148.
244 Наблюдение и анализ фотолюминесценции гетероструктуры CdxHg1-xTe с одиночной квантовой ямой / Войцеховский А.В., Горн Д.И., Ижнин А.И., Ижнин И.И. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 293‒294.
245 Наблюдение и анализ фотолюминесценции структуры КРТ с одиночной КЯ (d = 12,5 нм, х = 0,24) / Дворецкий С.А., Ижнин А.И., Горн Д.И., Войцеховский А.В. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 194.
246 Электрические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава / Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Дворецкий С.А., Варавин В.С. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 321.
247 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. Сравнение результатов ионной имплантации и ионного травления варизонных эпитаксиальных структур HgCdTe // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 175.
248 Исследование влияния объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок HgCdTe / Тарасенко В.Ф., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В., Шулепов М.А. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 380.
249 Турапин А.М., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Войцеховский А.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия Ge/Si наногетероструктур с квантовыми точками // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 382.
250 Влияние воздействия мощного импульсного лазерного излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdхHg1-xTe / Талипов Н.Х., Сизов А.Л., Войцеховский А.В., Средин В.Г. [и др.] // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 90.