ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 270
1) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 13.10.2025 - 18.10.2025 |
2) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 13.10.2025 - 18.10.2025 |
3) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 13.10.2025 - 18.10.2025 |
4) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса |
| Тип доклада | пленарный |
| Дата участия | 10.09.2025 - 12.09.2025 |
5) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 10.09.2025 - 12.09.2025 |
6) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Модификация свойств границ раздела поверхностный окисел-антимонид индия мягким рентгеновским излучением |
| Тип доклада | пленарный |
| Дата участия | 10.09.2025 - 12.09.2025 |
7) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 08.09.2025 - 12.09.2025 |
8) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 08.09.2025 - 12.09.2025 |
9) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 10.03.2025 - 14.03.2025 |
10) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.01.2025 - 31.01.2025 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 259
Публикации в рамках конференций
| 241 | Мельников А.А., Коротаев А.Г., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Кульчицкий Н.А. Влияние облучения на характеристики HgCdTe ИК-фотодетекторов //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения Часть 1. Москва: МГТУ МИРЭА – ИРЭ РАН, 2011. С. 143-148. |
|
|
| 242 | Наблюдение и анализ фотолюминесценции гетероструктуры CdxHg1-xTe с одиночной квантовой ямой / Войцеховский А.В., Горн Д.И., Ижнин А.И., Ижнин И.И. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 293‒294. |
|
|
| 243 | Наблюдение и анализ фотолюминесценции структуры КРТ с одиночной КЯ (d = 12,5 нм, х = 0,24) / Дворецкий С.А., Ижнин А.И., Горн Д.И., Войцеховский А.В. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 194. |
|
|
| 244 | Электрические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава / Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Дворецкий С.А., Варавин В.С. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 321. |
|
|
| 245 | Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. Сравнение результатов ионной имплантации и ионного травления варизонных эпитаксиальных структур HgCdTe // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 175. |
|
|
| 246 | Исследование влияния объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок HgCdTe / Тарасенко В.Ф., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В., Шулепов М.А. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 380. |
|
|
| 247 | Турапин А.М., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Войцеховский А.В. Молекулярно-лучевая эпитаксия Ge/Si наногетероструктур с квантовыми точками // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 382. |
|
|
| 248 | Влияние воздействия мощного импульсного лазерного излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев CdхHg1-xTe / Талипов Н.Х., Сизов А.Л., Войцеховский А.В., Средин В.Г. [и др.] // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 90. |
|
|
| 249 | Горн Д.И., Ижнин А.И., Ижнин И.И., Войцеховский А.В. Теоретический анализ спектра фотолюминесценции гетероструктуры КРТ МЛЭ с одиночной КЯ // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 132. |
|
|
| 250 | Влияние квантовых точек Ge на эффективность преобразования солнечного элемента на основе Si / Марфин Е.Ю., Никифоров А.И., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В. [и др.] // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 121. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность