Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 261
1) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2025 - 31.01.2025
2) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2025 - 31.01.2025
3) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 07.10.2024 - 11.10.2024
4) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2024 - 20.09.2024
5) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
7) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
8) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
9) Saint Petersburg OPEN 2024. 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Saint Petersburg OPEN 2024. Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам
Уровень конференции Международный
Тема доклада Study of the Formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method
Тип доклада секционный
Дата участия 14.05.2024 - 17.05.2024
10) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024

Общее число публикаций в рамках конференций - 250
Публикации в рамках конференций
241 Влияние квантовых точек Ge на эффективность преобразования солнечного элемента на основе Si / Марфин Е.Ю., Никифоров А.И., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В. [и др.] // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 121.
242 Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава / Дзядух С.М., Варавин В.С., Несмелов С.Н., Якушев М.В. [и др.] // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 104.
243 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. Ионная имплантация и ионное травление варизонных эпитаксиальных структур HgCdTe // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 51.
244 Войцеховский А.В., Протасов Д.Ю., Костюченко В.Я. Фотопроводимость в магнитном поле и фотомагнитный эффект на плёнках ГЭС ЖФЭ р-КРТ // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 116.
245 Протасов Д.Ю., Трифанов А.В., Костюченко В.Я., Войцеховский А.В. Автоматизированный комплекс определения рекомбинационно-диффузионных параметров в плёнках узкозонных полупроводников р-типа // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 110.
246 Лозовой К.А., Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Турапин А.М. Зависимость параметров массива квантовых точек Ge на поверхности Si(100) от условий синтеза // Фотоника-2011 : тезисы докладов Российской конференции и школы по актуальным проблемам полупроводниковой нанофотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2011. С. 94.
247 Шулепов М.А., Григорьев Д.В., Тарасенко В.Ф., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Войцеховский А.В. Влияние объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных твердых растворов CdHgTe //Материалы 9-й Международной конференции Взаимодействие излучений с твердым телом. Минск, Беларусь: Издательский центр БГУ, 2011. С. 206-207.
248 Каширский Д.Е., Волков Д.В., Войцеховская О.К., Войцеховский А.В. Программный комплекс для расчетов спектральных характеристик пространственно неоднородных газовых сред с аэрозольными сферическими частицами // Оптика атмосферы и океана. Физика атмосферы. Материалы XVII международного симпозиума. Томск: Изд-во ИОА СО РАН, 2011. С. 72‒75.
249 Горн Д.И., Ижнин И.И., Войцеховский А.В. Исследование фотолюминесценции гетероструктур КРТ с одиночной квантовой ямой // Физика : материалы XLIX Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс», 16-20 апреля 2011 г. Новосибирск, 2011. С. 208.
250 Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Наблюдение спектров фотолюминесценции одиночной КЯ (d = 12.5 нм) на основе КРТ с х = 0.24 //Сборник трудов VII Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика-2011». Санкт-Петербург, 2011. С. 297-298.