ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 271
1) Лазерные, плазменные исследования и технологии ЛаПлаз-2026. XII Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы дефектообразования рентгеновским излучением на границе раздела поверхностный окисел – антимонид индия
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.02.2026 - 06.02.2026
2) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe
Тип доклада секционный
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
3) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий
Тип доклада стендовый
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
4) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре
Тип доклада стендовый
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
5) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса
Тип доклада пленарный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
6) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
7) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Модификация свойств границ раздела поверхностный окисел-антимонид индия мягким рентгеновским излучением
Тип доклада пленарный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
8) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором
Тип доклада секционный
Дата участия 08.09.2025 - 12.09.2025
9) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером
Тип доклада стендовый
Дата участия 08.09.2025 - 12.09.2025
10) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 10.03.2025 - 14.03.2025

Общее число публикаций в рамках конференций - 261
Публикации в рамках конференций
231 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. Электрофизические и оптические характеристики МДП-структур на основе CdHgTe с квантовыми ямами HgTe //Международный форум «Крым Hi-Tech-2014». Сборник тезисов докладов. Москва, 2014. С. 65-68.
232 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Маслова Ю.В. Развитие исследовательской компетенции у магистрантов в процессе выполнения лабораторного практикума //Сборник трудов. Конференция "Оптика и образование - 2014"/Под общ. редакцией проф. А.А. Шехонина. - СПб: Университет ИТМО. Санкт-Петербург, 2014. С. 51-52.
233 Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I. Stimulated emission from CdHgTe-based structures with quantum wells: review and analysis //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL:: http://www.emrs-strasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015.
234 Pociask-Bialy M., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Mynbaev K.D. Background donor concentration in HgCdTe //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL:: http://www.emrs-strasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015.
235 Izhnin I.I., Izhnin A.I., Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I., Fitsych O.I. CdHgTe-based single quantum wells structures photoluminescence spectra analysis //Book of Abstracts of young scientists and lecturers of the International Summer School, 23-30 August, 2014. Edited by Dr. Olena Fesenko. Lviv: Eurosvit, 2014. P. 453.
236 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н. Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, Материалы международной научно-методической конференции "INTERMATIK-2013" , 2013. г. Москва, 2013. С. 212-221.
237 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н. Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, Материалы международной научно-методической конференции "INTERMATIK-2013" , 2013. г. Москва, 2013. С. 204-211.
238 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Влияние облучения на характеристики HgCdTe ИК фотодетекторов //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, Материалы международной научно-методической конференции "INTERMATIK-2013" , 2013. г. Москва, 2013. С. 222-227.
239 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Влияние термоциклирования на процесс низкотемпературной активациив гетероэпитаксиальных структурах CdxHg1–xTe имплантированных атомов бора и азота //Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2013. С. 335.
240 Войцеховский А.В., Протасов Д.Ю., Талипов Н.Х. Применение метода «спектр подвижности» для исследования процесса низкотемпературной активации имплантированных атомов бора в гетероэпитаксиальных структурах CdxHg1–xTe //Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2013. С. 336.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность