ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 258
1) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 07.10.2024 - 11.10.2024
2) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
Тип доклада устный
Дата участия 16.09.2024 - 20.09.2024
3) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
4) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
5) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
7) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
8) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
9) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
10) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 249
Публикации в рамках конференций
221 Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I. Stimulated emission from CdHgTe-based structures with quantum wells: review and analysis //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL:: http://www.emrs-strasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015.
222 Pociask-Bialy M., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Mynbaev K.D. Background donor concentration in HgCdTe //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL:: http://www.emrs-strasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015.
223 Izhnin I.I., Izhnin A.I., Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I., Fitsych O.I. CdHgTe-based single quantum wells structures photoluminescence spectra analysis //Book of Abstracts of young scientists and lecturers of the International Summer School, 23-30 August, 2014. Edited by Dr. Olena Fesenko. Lviv: Eurosvit, 2014. P. 453.
224 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н. Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, Материалы международной научно-методической конференции "INTERMATIK-2013" , 2013. г. Москва, 2013. С. 212-221.
225 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н. Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, Материалы международной научно-методической конференции "INTERMATIK-2013" , 2013. г. Москва, 2013. С. 204-211.
226 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Влияние облучения на характеристики HgCdTe ИК фотодетекторов //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, Материалы международной научно-методической конференции "INTERMATIK-2013" , 2013. г. Москва, 2013. С. 222-227.
227 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Влияние термоциклирования на процесс низкотемпературной активациив гетероэпитаксиальных структурах CdxHg1–xTe имплантированных атомов бора и азота //Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2013. С. 335.
228 Войцеховский А.В., Протасов Д.Ю., Талипов Н.Х. Применение метода «спектр подвижности» для исследования процесса низкотемпературной активации имплантированных атомов бора в гетероэпитаксиальных структурах CdxHg1–xTe //Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2013. С. 336.
229 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Детекторы ИК диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si //Вакуумная наука и техника: Материалы XX юбилейной научно-технической конференции. Под ред. доктора технических наук, профессора Д.В. Быкова. МИЭМ НИУ ВШЭ. Москва, 2013. С. 184-187.
230 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Микроболометрические детекторы ИК диапазона на основе поликристаллического SiGe //Вакуумная наука и техника: Материалы XX юбилейной научно-технической конференции. Под ред. доктора технических наук, профессора Д.В. Быкова. МИЭМ НИУ ВШЭ. Москва, 2013. С. 188-191.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность