Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 254
1) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
2) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
3) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
4) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
5) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
6) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
7) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
8) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов
Тип доклада устный
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
9) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
10) Лазерные, плазменные исследования и технологии. ЛаПлаз-2023. IX Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 28.03.2023 - 31.03.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 243
Публикации в рамках конференций
221 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Влияние термоциклирования на процесс низкотемпературной активациив гетероэпитаксиальных структурах CdxHg1–xTe имплантированных атомов бора и азота //Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2013. С. 335.
222 Войцеховский А.В., Протасов Д.Ю., Талипов Н.Х. Применение метода «спектр подвижности» для исследования процесса низкотемпературной активации имплантированных атомов бора в гетероэпитаксиальных структурах CdxHg1–xTe //Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2013. С. 336.
223 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Детекторы ИК диапазона на структурах с квантовыми точками Ge/Si //Вакуумная наука и техника: Материалы XX юбилейной научно-технической конференции. Под ред. доктора технических наук, профессора Д.В. Быкова. МИЭМ НИУ ВШЭ. Москва, 2013. С. 184-187.
224 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н. Микроболометрические детекторы ИК диапазона на основе поликристаллического SiGe //Вакуумная наука и техника: Материалы XX юбилейной научно-технической конференции. Под ред. доктора технических наук, профессора Д.В. Быкова. МИЭМ НИУ ВШЭ. Москва, 2013. С. 188-191.
225 Мельников А.А., Коротаев А.Г., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Кульчицкий Н.А. Влияние облучения на характеристики HgCdTe ИК-фотодетекторов //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения Часть 1. Москва: МГТУ МИРЭА – ИРЭ РАН, 2011. С. 143-148.
226 Наблюдение и анализ фотолюминесценции гетероструктуры CdxHg1-xTe с одиночной квантовой ямой / Войцеховский А.В., Горн Д.И., Ижнин А.И., Ижнин И.И. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 293‒294.
227 Наблюдение и анализ фотолюминесценции структуры КРТ с одиночной КЯ (d = 12,5 нм, х = 0,24) / Дворецкий С.А., Ижнин А.И., Горн Д.И., Войцеховский А.В. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 194.
228 Электрические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe МЛЭ с неоднородным распределением состава / Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Дворецкий С.А., Варавин В.С. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 321.
229 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Ижнин И.И. Сравнение результатов ионной имплантации и ионного травления варизонных эпитаксиальных структур HgCdTe // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 175.
230 Исследование влияния объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок HgCdTe / Тарасенко В.Ф., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В., Шулепов М.А. [и др.] // V Украинская научная конференция по физике полупроводников (УНКФН-5) с международным участием : сборник тезисов конференции. Ужгород, 2011. С. 380.