ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 271
1) Лазерные, плазменные исследования и технологии ЛаПлаз-2026. XII Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Механизмы дефектообразования рентгеновским излучением на границе раздела поверхностный окисел – антимонид индия |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 02.02.2026 - 06.02.2026 |
2) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 13.10.2025 - 18.10.2025 |
3) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 13.10.2025 - 18.10.2025 |
4) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 13.10.2025 - 18.10.2025 |
5) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса |
| Тип доклада | пленарный |
| Дата участия | 16.09.2025 - 18.09.2025 |
6) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 16.09.2025 - 18.09.2025 |
7) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Модификация свойств границ раздела поверхностный окисел-антимонид индия мягким рентгеновским излучением |
| Тип доклада | пленарный |
| Дата участия | 16.09.2025 - 18.09.2025 |
8) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 08.09.2025 - 12.09.2025 |
9) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 08.09.2025 - 12.09.2025 |
10) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 10.03.2025 - 14.03.2025 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 261
Публикации в рамках конференций
| 211 | Voitsekhovskii A. V., Nesmelov Sergei Nikolaevich, Dziadukh Stanislav Mikhailovich, Gorn Dmitrii Igorevich. Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K //СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Материалы 25 -й Международной Крымской конференции. Том 1. Севастополь, 2015. P. 739-740. |
|
|
| 212 | Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Мынбаев К.Д., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением //Сборник научных трудов VIII Международной научной конференции «Функциональная база наноэлектроники». Одесса, 2015. С. 171-175. |
|
|
| 213 | Izhnin I.I., Fitsych O.I., Nesmelov S. N., Dzyadukh S.M., Voitsekhovskii A. V., Gorn D. I. Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well //The International research and practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2015). Abstracts Book of participants of the International Summer School and International research and practice Conference. Lviv: Eurosvit, 2015. P. 364. |
|
|
| 214 | Voitsekhovskii A.V., Grigoryev D.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P., Romanov I.V., Tarasenko V.F., Shulepov M.A. The Influence of a Diffusion Discharge in the Air at Atmospheric Pressure on the Electro-Physical Properties of Narrow-Gap Semicondurtors CdHgTe //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2014. P. 332. |
|
|
| 215 | Войцеховский А.В., Войцеховская О.К., Егоров О.В., Каширский Д.Е. Оптико-физические методы дистанционной диагностики высокотемпературных газовых сред //Оптика атмосферы и океана. Физика атмосферы: Материалы XX Международного симпозиума. Томск: Издательство ИОА СО РАН, 2014. С. 74-77. 1 электрон. опт. диск (CD-R). Систем. требования: PC Pentium или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка. |
|
|
| 216 | Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskiy A.V. GeSi elongated quantum dots formation modelling //Book of Abstracts 1-st International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures “Saint-Petersburg OPEN 2014”. St. Petersburg, 2014. P. 320-321. |
|
|
| 217 | Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В. Особенности формирования n+-n--p структур в варизонных гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe при имплантации ионов бора //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 63-67. |
|
|
| 218 | Ижнин И.И., Дворецкий С.А., Мынбаев К.Д., Фицыч Е.И., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Войцеховский А.В. Взаимодействие дефектов в легированном As МЛЭ CdHgTe //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 163-167. |
|
|
| 219 | Войцеховский А.В., Горн Д.И. Стимулированное излучение в структурах КРТ с квантовыми ямами //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 390-393. |
|
|
| 220 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г. Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22-023 и 0,31-0,32) в широком диапазоне температур //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 418-422. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность