ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 262
1) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 10.03.2025 - 14.03.2025
2) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2025 - 31.01.2025
3) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2025 - 31.01.2025
4) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 07.10.2024 - 11.10.2024
5) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2024 - 20.09.2024
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
7) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
8) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
9) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
10) Saint Petersburg OPEN 2024. 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Saint Petersburg OPEN 2024. Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам
Уровень конференции Международный
Тема доклада Study of the Formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method
Тип доклада секционный
Дата участия 14.05.2024 - 17.05.2024

Общее число публикаций в рамках конференций - 251
Публикации в рамках конференций
211 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г. Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0.22-0.23) //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 422-427.
212 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов на основе кремния с квантовыми точками германия //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 476-480.
213 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Оценка вклада энергии образования дополнительных ребер на изменение свободной энергии при росте квантовой точки //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 53.
214 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О механизме формирования n+-n--p структур при ионной имплантации CdxHg1-xTe p-типа //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 38.
215 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Мынбаев К.Д. Донорный фон в эпитаксиальных структурах CdHgTe //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 64.
216 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г. Электрофизическая диагностика параметров МДПструктур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe выращенного методом молекулярнолучевой эпитаксии //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 79.
217 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Фотолюминесценция в МКЯструктурах КРТ МЛЭ //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 81.
218 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Стимулированное излучение в гетероструктурах КРТ МЛЭ с квантовыми ямами //Сборник трудов Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики – 2014». Санкт-Петербург, 2014. С. 444-446.
219 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Маслова Ю.В. Применение электронного ресурса MOODLE при проведении лабораторных работ по курсу "Волоконно-оптические линии связи" //Сборник трудов. Конференция "Оптика и образование - 2014"/Под общ. редакцией проф. А.А. Шехонина. - СПб: Университет ИТМО. Санкт-Петербург, 2014. С. 52-53.
220 Коханенко А.П., Войцеховский А.В., Лозовой К.А. Зависимости параметров квантовых точек Ge на Si от соотношения сторон их оснований //Кремний -2014 / Тезисы докладов X Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Иркутск, 2014. С. 135.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность