Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 254
1) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607.
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
2) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
3) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.С. Соколов [и др.] // Невская фотоника-2023 : Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов, 9-13 октября 2023 г. СПб.: Университет ИТМО, 2023. С. 297.
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
4) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2023 : Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов, 9-13 октября 2023 г. СПб.: Университет ИТМО, 2023. С. 123.
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
5) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269.
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
6) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒272.
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
7) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 295‒296.
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
8) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85
Тип доклада устный
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
9) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
10) Лазерные, плазменные исследования и технологии. ЛаПлаз-2023. IX Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43.
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 28.03.2023 - 31.03.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 243
Публикации в рамках конференций
211 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Маслова Ю.В. Применение электронного ресурса MOODLE при проведении лабораторных работ по курсу "Волоконно-оптические линии связи" //Сборник трудов. Конференция "Оптика и образование - 2014"/Под общ. редакцией проф. А.А. Шехонина. - СПб: Университет ИТМО. Санкт-Петербург, 2014. С. 52-53.
212 Коханенко А.П., Войцеховский А.В., Лозовой К.А. Зависимости параметров квантовых точек Ge на Si от соотношения сторон их оснований //Кремний -2014 / Тезисы докладов X Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Иркутск, 2014. С. 135.
213 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. Электрофизические и оптические характеристики МДП-структур на основе CdHgTe с квантовыми ямами HgTe //Международный форум «Крым Hi-Tech-2014». Сборник тезисов докладов. Москва, 2014. С. 65-68.
214 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Маслова Ю.В. Развитие исследовательской компетенции у магистрантов в процессе выполнения лабораторного практикума //Сборник трудов. Конференция "Оптика и образование - 2014"/Под общ. редакцией проф. А.А. Шехонина. - СПб: Университет ИТМО. Санкт-Петербург, 2014. С. 51-52.
215 Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I. Stimulated emission from CdHgTe-based structures with quantum wells: review and analysis //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL:: http://www.emrs-strasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015.
216 Pociask-Bialy M., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Mynbaev K.D. Background donor concentration in HgCdTe //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL:: http://www.emrs-strasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015.
217 Izhnin I.I., Izhnin A.I., Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I., Fitsych O.I. CdHgTe-based single quantum wells structures photoluminescence spectra analysis //Book of Abstracts of young scientists and lecturers of the International Summer School, 23-30 August, 2014. Edited by Dr. Olena Fesenko. Lviv: Eurosvit, 2014. P. 453.
218 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н. Неохлаждаемые микроболометры на основе поликристаллического SiGe для инфракрасного диапазона //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, Материалы международной научно-методической конференции "INTERMATIK-2013" , 2013. г. Москва, 2013. С. 212-221.
219 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Несмелов С.Н. Инфракрасные детекторы с квантовыми точками Ge/Si //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, Материалы международной научно-методической конференции "INTERMATIK-2013" , 2013. г. Москва, 2013. С. 204-211.
220 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коханенко А.П., Коротаев А.Г., Кульчицкий Н.А., Мельников А.А. Влияние облучения на характеристики HgCdTe ИК фотодетекторов //Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения, Материалы международной научно-методической конференции "INTERMATIK-2013" , 2013. г. Москва, 2013. С. 222-227.