Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 256
1) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
2) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
3) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
4) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
5) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
6) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
7) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
8) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
9) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
10) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 247
Публикации в рамках конференций
211 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А., Варавин В.С., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Мынбаев К.Д. Донорный фон в эпитаксиальных структурах CdHgTe //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 64.
212 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г. Электрофизическая диагностика параметров МДПструктур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe выращенного методом молекулярнолучевой эпитаксии //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 79.
213 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Фотолюминесценция в МКЯструктурах КРТ МЛЭ //Конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам физики полупроводниковых структур (с участием иностранных ученых). Тезисы докладов. Новосибирск, 2014. С. 81.
214 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Стимулированное излучение в гетероструктурах КРТ МЛЭ с квантовыми ямами //Сборник трудов Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики – 2014». Санкт-Петербург, 2014. С. 444-446.
215 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Маслова Ю.В. Применение электронного ресурса MOODLE при проведении лабораторных работ по курсу "Волоконно-оптические линии связи" //Сборник трудов. Конференция "Оптика и образование - 2014"/Под общ. редакцией проф. А.А. Шехонина. - СПб: Университет ИТМО. Санкт-Петербург, 2014. С. 52-53.
216 Коханенко А.П., Войцеховский А.В., Лозовой К.А. Зависимости параметров квантовых точек Ge на Si от соотношения сторон их оснований //Кремний -2014 / Тезисы докладов X Конференции по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Иркутск, 2014. С. 135.
217 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. Электрофизические и оптические характеристики МДП-структур на основе CdHgTe с квантовыми ямами HgTe //Международный форум «Крым Hi-Tech-2014». Сборник тезисов докладов. Москва, 2014. С. 65-68.
218 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Маслова Ю.В. Развитие исследовательской компетенции у магистрантов в процессе выполнения лабораторного практикума //Сборник трудов. Конференция "Оптика и образование - 2014"/Под общ. редакцией проф. А.А. Шехонина. - СПб: Университет ИТМО. Санкт-Петербург, 2014. С. 51-52.
219 Voitsekhovskii A.V., Gorn D.I. Stimulated emission from CdHgTe-based structures with quantum wells: review and analysis //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL:: http://www.emrs-strasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015.
220 Pociask-Bialy M., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Mynbaev K.D. Background donor concentration in HgCdTe //Abstracts of E-MRS 2014 Fall Meeting. Warsaw, Poland, 2014. URL:: http://www.emrs-strasbourg.com/index.php?option=com_abstract&task=view&id=283&year=2014&Itemid=&id_season=12(date of access: 10.03.2015.