ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 258
1) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 07.10.2024 - 11.10.2024
2) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
Тип доклада устный
Дата участия 16.09.2024 - 20.09.2024
3) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
4) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
5) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
7) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
8) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
9) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
10) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 249
Публикации в рамках конференций
201 Izhnin I.I., Fitsych O.I., Nesmelov S. N., Dzyadukh S.M., Voitsekhovskii A. V., Gorn D. I. Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well //The International research and practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2015). Abstracts Book of participants of the International Summer School and International research and practice Conference. Lviv: Eurosvit, 2015. P. 364.
202 Voitsekhovskii A.V., Grigoryev D.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P., Romanov I.V., Tarasenko V.F., Shulepov M.A. The Influence of a Diffusion Discharge in the Air at Atmospheric Pressure on the Electro-Physical Properties of Narrow-Gap Semicondurtors CdHgTe //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2014. P. 332.
203 Войцеховский А.В., Войцеховская О.К., Егоров О.В., Каширский Д.Е. Оптико-физические методы дистанционной диагностики высокотемпературных газовых сред //Оптика атмосферы и океана. Физика атмосферы: Материалы XX Международного симпозиума. Томск: Издательство ИОА СО РАН, 2014. С. 74-77. 1 электрон. опт. диск (CD-R). Систем. требования: PC Pentium или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.
204 Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskiy A.V. GeSi elongated quantum dots formation modelling //Book of Abstracts 1-st International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures “Saint-Petersburg OPEN 2014”. St. Petersburg, 2014. P. 320-321.
205 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В. Особенности формирования n+-n--p структур в варизонных гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe при имплантации ионов бора //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 63-67.
206 Ижнин И.И., Дворецкий С.А., Мынбаев К.Д., Фицыч Е.И., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Войцеховский А.В. Взаимодействие дефектов в легированном As МЛЭ CdHgTe //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 163-167.
207 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Стимулированное излучение в структурах КРТ с квантовыми ямами //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 390-393.
208 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г. Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22-023 и 0,31-0,32) в широком диапазоне температур //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 418-422.
209 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г. Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0.22-0.23) //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 422-427.
210 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Оптимизация ростовых условий для улучшения параметров фотоприемников и солнечных элементов на основе кремния с квантовыми точками германия //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 476-480.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность