ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 262
1) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 10.03.2025 - 14.03.2025
2) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2025 - 31.01.2025
3) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2025 - 31.01.2025
4) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 07.10.2024 - 11.10.2024
5) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2024 - 20.09.2024
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
7) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
8) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
9) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
10) Saint Petersburg OPEN 2024. 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Saint Petersburg OPEN 2024. Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам
Уровень конференции Международный
Тема доклада Study of the Formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method
Тип доклада секционный
Дата участия 14.05.2024 - 17.05.2024

Общее число публикаций в рамках конференций - 251
Публикации в рамках конференций
201 Voitsekhovskii A. V., Nesmelov Sergei Nikolaevich, Dziadukh Stanislav Mikhailovich, Gorn Dmitrii Igorevich. Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K //СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Материалы 25 -й Международной Крымской конференции. Том 1. Севастополь, 2015. P. 739-740.
202 Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Мынбаев К.Д., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением //Сборник научных трудов VIII Международной научной конференции «Функциональная база наноэлектроники». Одесса, 2015. С. 171-175.
203 Izhnin I.I., Fitsych O.I., Nesmelov S. N., Dzyadukh S.M., Voitsekhovskii A. V., Gorn D. I. Admittance of HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum well //The International research and practice Conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2015). Abstracts Book of participants of the International Summer School and International research and practice Conference. Lviv: Eurosvit, 2015. P. 364.
204 Voitsekhovskii A.V., Grigoryev D.V., Korotaev A.G., Kokhanenko A.P., Romanov I.V., Tarasenko V.F., Shulepov M.A. The Influence of a Diffusion Discharge in the Air at Atmospheric Pressure on the Electro-Physical Properties of Narrow-Gap Semicondurtors CdHgTe //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2014. P. 332.
205 Войцеховский А.В., Войцеховская О.К., Егоров О.В., Каширский Д.Е. Оптико-физические методы дистанционной диагностики высокотемпературных газовых сред //Оптика атмосферы и океана. Физика атмосферы: Материалы XX Международного симпозиума. Томск: Издательство ИОА СО РАН, 2014. С. 74-77. 1 электрон. опт. диск (CD-R). Систем. требования: PC Pentium или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.
206 Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskiy A.V. GeSi elongated quantum dots formation modelling //Book of Abstracts 1-st International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures “Saint-Petersburg OPEN 2014”. St. Petersburg, 2014. P. 320-321.
207 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Григорьев Д.В. Особенности формирования n+-n--p структур в варизонных гетероэпитаксиальных слоях CdHgTe при имплантации ионов бора //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 63-67.
208 Ижнин И.И., Дворецкий С.А., Мынбаев К.Д., Фицыч Е.И., Михайлов Н.Н., Варавин В.С., Войцеховский А.В. Взаимодействие дефектов в легированном As МЛЭ CdHgTe //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 163-167.
209 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Стимулированное излучение в структурах КРТ с квантовыми ямами //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 390-393.
210 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Кузьмин В.Д., Ремесник В.Г., Сидоров Ю.Г. Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22-023 и 0,31-0,32) в широком диапазоне температур //Труды XXIII Международной научно-технической конференции по фотоэлнктронике и приборам ночного видения 28-30 мая 2014, Москва. Москва, 2014. С. 418-422.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность