ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 258
1) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 07.10.2024 - 11.10.2024
2) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
Тип доклада устный
Дата участия 16.09.2024 - 20.09.2024
3) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
4) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
5) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
7) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
8) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
9) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
10) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 249
Публикации в рамках конференций
191 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 99.
192 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г., Сидоров Г.Ю. Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 135.
193 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. Оптимизация технологии формирования многоэлементных матричных ИК-фотоприемников на основе МЛЭ слоев CdxHg1-xТе //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 139.
194 Novikov V.A., Grigoryev D. V., Bezrodnyy D. A., Voitsekhovskii A. V., Dvoretskii S. A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V. Electrical properties of the V-defects of epitaxial HgCdTe //Conference book of 17th International Conference on II-VI Compounds and Related Materials. Paris, France: Open Publishing Association, 2015. P. 345.
195 Kokhanenko A. P., Lozovoi K. A., Voitsekhovskii A. V. Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 709-710. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.
196 Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S. N., Dziadukh S. M. Capacitance-voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 735-736. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.
197 Voitsekhovskii A. V., Nesmelov S.N., Dziadukh S. M., Gorn D. I. Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K //25-я Международная Крымская конференция «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» (КрыМиКо’2015): материалы конф. [Электронный ресурс]. Севастополь, 2015. P. 739-740. 1 CD-ROM. System requirements: PC Pentium 1 или выше; OC Microsoft Windows; CD-ROM 16-х или выше; мышка.
198 Voitsekhovskii A. V., Nesmelov Sergei Nikolaevich, Dziadukh Stanislav Mikhailovich. Capacitance voltage characteristics of CdHgTe MIS structures with single quantum wells based on HgTe //СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Материалы 25 -й Международной Крымской конференции. Том 1. Севастополь, 2015. P. 735-736.
199 Voitsekhovskii A. V., Nesmelov Sergei Nikolaevich, Dziadukh Stanislav Mikhailovich, Gorn Dmitrii Igorevich. Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K //СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Материалы 25 -й Международной Крымской конференции. Том 1. Севастополь, 2015. P. 739-740.
200 Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Фицыч Е.И., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Мынбаев К.Д., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В. Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением //Сборник научных трудов VIII Международной научной конференции «Функциональная база наноэлектроники». Одесса, 2015. С. 171-175.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность