ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 262
1) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 10.03.2025 - 14.03.2025 |
2) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.01.2025 - 31.01.2025 |
3) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 27.01.2025 - 31.01.2025 |
4) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 07.10.2024 - 11.10.2024 |
5) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 16.09.2024 - 20.09.2024 |
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
7) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
8) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
9) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
10) Saint Petersburg OPEN 2024. 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Saint Petersburg OPEN 2024. Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Study of the Formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method |
| Тип доклада | секционный |
| Дата участия | 14.05.2024 - 17.05.2024 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 251
Публикации в рамках конференций
| 11 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305. |
|
|
| 12 | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541. |
|
|
| 13 | Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686. |
|
|
| 14 | Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43. |
|
|
| 15 | Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85 |
|
|
| 16 | Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143 |
|
|
| 17 | Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269. |
|
|
| 18 | Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒272. |
|
|
| 19 | К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 295‒296. |
|
|
| 20 | Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.С. Соколов [и др.] // Невская фотоника-2023 : Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов, 9-13 октября 2023 г. СПб.: Университет ИТМО, 2023. С. 297. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность