Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 250
1) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269. |
Тип доклада | приглашенный |
Дата участия | 26.09.2023 - 29.09.2023 |
2) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒271. |
Тип доклада | приглашенный |
Дата участия | 26.09.2023 - 29.09.2023 |
3) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики. АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 295‒296. |
Тип доклада | приглашенный |
Дата участия | 26.09.2023 - 29.09.2023 |
4) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85 |
Тип доклада | устный |
Дата участия | 04.09.2023 - 08.09.2023 |
5) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143 |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 04.09.2023 - 08.09.2023 |
6) Лазерные, плазменные исследования и технологии. ЛаПлаз-2023. IX Международная конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43. |
Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
Дата участия | 28.03.2023 - 31.03.2023 |
7) Нанофизика и наноэлектроника. XXVII Международный симпозиум
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541. |
Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
Дата участия | 13.03.2023 - 16.03.2023 |
8) Нанофизика и наноэлектроника. XXVII Международный симпозиум
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Рост nBn-структур на основе твердых растворов СdHgTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазонов / А.В. Войцеховский, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 685‒686. |
Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
Дата участия | 13.03.2023 - 16.03.2023 |
9) XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике (XII International conference on photonics and information optics)
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305. |
Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
Дата участия | 01.02.2023 - 03.02.2023 |
10) XV Российская конференция по физике полупроводников
Уровень конференции | Всероссийский |
Тема доклада | Лозовой К.А., Дирко В.В., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Анализ сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур в системе Ge/S // XV Российская конференция по физике полупроводников, 3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Нижний Новгород: Изд-во ИПФ РАН, 2022. С. 73. |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 03.10.2022 - 07.10.2022 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 239
Публикации в рамках конференций
11 | Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Дворецкий С.А. [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 252‒254. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-252 |
|
|
12 | Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками / А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский, К.А. Лозовой, Р.М. Духан [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 287‒289. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-287 |
|
|
13 | Темновые токи униполярных NbνN структур на основе HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород : 2 т. Т. 2. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2022. С. 720‒721. |
|
|
14 | Исследования сверхструктурных переходов при эпитакcиальном росте Ge/Si и GeSi/Si / В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко, К.А. Лозовой [и др.] // Кремний 2022 : тезисы докладов XIV Международной конференции и XIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 26-30 сентября 2022 г., Новосибирск. Москва: Перо, 2022. С. 58. DOI: 10.34077/SILICON2022-58 |
|
|
15 | Моделирование эпитаксиального формирования двумерных и нульмерных структур кремния и германия с учетом изменения зависимости их параметров от толщины / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, В.П. Винарский, А.П. Коханенко [и др.] // Кремний 2022 : тезисы докладов XIV Международной конференции и XIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 26-30 сентября 2022 г., Новосибирск. Москва: Перо, 2022. С. 118. DOI: 10.34077/SILICON2022-118 |
|
|
16 | Лозовой К.А., Дирко В.В., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Анализ сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур в системе Ge/S // XV Российская конференция по физике полупроводников, 3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Нижний Новгород: Изд-во ИПФ РАН, 2022. С. 73. |
|
|
17 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, Д.И. Горн [и др.] // XV Российская конференция по физике полупроводников, 3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Нижний Новгород: Изд-во ИПФ РАН, 2022. С. 343. |
|
|
18 | Темновые токи бариодных структур на основе теллурида кадмия ртути для средне- и длинноволновых инфракрасных детекторов / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2021. С. 215‒216. |
|
|
19 | Адмиттанс МДП-приборов на основе теллурида кадмия ртути с одиночными квантовыми ямами теллурида ртути в активной области / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2021. С. 233‒234. |
|
|
20 | Униполярные nBn-структуры и детекторы на основе HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2021. С. 603‒604. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность