Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 254
1) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
2) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
3) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
4) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
5) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
6) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
7) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
8) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов
Тип доклада устный
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
9) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
10) Лазерные, плазменные исследования и технологии. ЛаПлаз-2023. IX Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 28.03.2023 - 31.03.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 243
Публикации в рамках конференций
11 К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 295‒296.
12 Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.С. Соколов [и др.] // Невская фотоника-2023 : Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов, 9-13 октября 2023 г. СПб.: Университет ИТМО, 2023. С. 297.
13 Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2023 : Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов, 9-13 октября 2023 г. СПб.: Университет ИТМО, 2023. С. 123.
14 Экспериментальное исследование барьерных nBνN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Дворецкий С.А. [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 249‒251. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-249
15 Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Дворецкий С.А. [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 252‒254. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-252
16 Темновой ток фотодетекторов на основе многослойных структур с квантовыми точками / А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский, К.А. Лозовой, Р.М. Духан [и др.] // XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022, Москва : тезисы докладов. Москва: АО "НПО Орион", 2022. С. 287‒289. DOI: 10.51368/978-5-7164-1173-9-2022-287
17 Темновые токи униполярных NbνN структур на основе HgCdTe / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И. [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14–17 марта 2022 г., Нижний Новгород : 2 т. Т. 2. Нижний Новгород: Издательство Нижегородского университета, 2022. С. 720‒721.
18 Исследования сверхструктурных переходов при эпитакcиальном росте Ge/Si и GeSi/Si / В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.П. Коханенко, К.А. Лозовой [и др.] // Кремний 2022 : тезисы докладов XIV Международной конференции и XIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 26-30 сентября 2022 г., Новосибирск. Москва: Перо, 2022. С. 58. DOI: 10.34077/SILICON2022-58
19 Моделирование эпитаксиального формирования двумерных и нульмерных структур кремния и германия с учетом изменения зависимости их параметров от толщины / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, В.П. Винарский, А.П. Коханенко [и др.] // Кремний 2022 : тезисы докладов XIV Международной конференции и XIII Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 26-30 сентября 2022 г., Новосибирск. Москва: Перо, 2022. С. 118. DOI: 10.34077/SILICON2022-118
20 Лозовой К.А., Дирко В.В., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Анализ сверхструктурных переходов при низкотемпературном росте наноструктур в системе Ge/S // XV Российская конференция по физике полупроводников, 3-7 октября 2022 г., Нижний Новгород : тезисы докладов. Нижний Новгород: Изд-во ИПФ РАН, 2022. С. 73.