Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 262
1) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
Тема доклада | Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 10.03.2025 - 14.03.2025 |
2) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.01.2025 - 31.01.2025 |
3) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 27.01.2025 - 31.01.2025 |
4) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции | Всероссийский |
Тема доклада | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 07.10.2024 - 11.10.2024 |
5) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) |
Тип доклада | секционный |
Дата участия | 16.09.2024 - 20.09.2024 |
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
7) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
8) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As |
Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
9) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением |
Тип доклада | стендовый |
Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
10) Saint Petersburg OPEN 2024. 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Saint Petersburg OPEN 2024. Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам
Уровень конференции | Международный |
Тема доклада | Study of the Formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method |
Тип доклада | секционный |
Дата участия | 14.05.2024 - 17.05.2024 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 251
Публикации в рамках конференций
181 | Grigorev D.V., Voitsekhovskii A. V., Lozovoy K. A., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Changes in the Electro-Physical Propertyies of Mct Epitaxial Films Affected by a Plasma Volume Discharge Induced by an Avalache Beam in Atmospheric-Pressure Air //Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2015)/ 12-th International Conference. Abstracts. Томск: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 209. |
|
|
182 | Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dziadukh S. M., Grigoryev D. V., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Influence of Plasma Volume Discharge in Atmospheric-Pressure Air on the Admittance of MIS Structures Based on MBE p-HgCdTe //Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2015)/ 12-th International Conference. Abstracts. Томск: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 211. |
|
|
183 | Войцеховский А.В., Горн Д.И., Лозовой К.А. Наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками элементная база фотоэлектроники и фотовольтаики //Фотоника нано- и микроструктур (ФНМС-2015). 3-я Международная Школа-семинар. Сборник трудов. Томск: Изд-во ТУСУР, 2015. С. 7. |
|
|
184 | Bonchyk A.Yu., Mohylyak I.A., Savitskii G. V., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A. V., Izhnin I.I. Comparison of Background Donor Concentration in HgCdTe Grown With Different Technologies //Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems. Materials of XV International Conference / Ed. by Honored scientist of Ukraine, Dr. Chem. Sci., Prof. Freik D.M. Ivano-Frankivsk, 2015. P. 258. |
|
|
185 | Grigoryev D. V., Voitsekhovskii A. V., Lozovoy K. A., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films //The 12th International Conference "Atomic and Molecular Pulsed Lasers": Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 89-90. |
|
|
186 | Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N. UV photodetectors based on wide-gap AlGaN semiconductors //The 12th International Conference "Atomic and Molecular Pulsed Lasers": Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 121. |
|
|
187 | Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г. Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 //Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2015. С. 138. |
|
|
188 | Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Swiatek Z., Ozga P. Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe //Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2015. С. 333. |
|
|
189 | Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова //"Вакуумная техника, материалы и технология". Материалы Х Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова. Москва, 2015. С. 238-242. |
|
|
190 | Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si //"Вакуумная техника, материалы и технология". Материалы Х Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова. Москва, 2015. С. 243-248. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность