Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 258
1) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
2) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
3) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
4) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
5) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
6) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
7) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
8) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
9) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
10) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 247
Публикации в рамках конференций
181 Grigoryev D. V., Voitsekhovskii A. V., Lozovoy K. A., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films //The 12th International Conference "Atomic and Molecular Pulsed Lasers": Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 89-90.
182 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N. UV photodetectors based on wide-gap AlGaN semiconductors //The 12th International Conference "Atomic and Molecular Pulsed Lasers": Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 121.
183 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г. Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 //Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2015. С. 138.
184 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Swiatek Z., Ozga P. Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe //Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2015. С. 333.
185 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова //"Вакуумная техника, материалы и технология". Материалы Х Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова. Москва, 2015. С. 238-242.
186 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si //"Вакуумная техника, материалы и технология". Материалы Х Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова. Москва, 2015. С. 243-248.
187 Войцеховский А.В., Талипов Н.Х. Воздействие мощного импульсного ИК излучения на свойства гетероэпитаксиальных структур HgCdTe //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 39.
188 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Мынбаев К.Д. Релаксация и долговременная стабильность МЛЭ CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 42.
189 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 99.
190 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г., Сидоров Г.Ю. Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии //ФОТОНИКА - 2015. Тезисы докладов Российской конференции по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых). Новосибирск, 2015. С. 135.