Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 262
1) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 10.03.2025 - 14.03.2025
2) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2025 - 31.01.2025
3) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2025 - 31.01.2025
4) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 07.10.2024 - 11.10.2024
5) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2024 - 20.09.2024
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
7) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
8) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
9) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
10) Saint Petersburg OPEN 2024. 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Saint Petersburg OPEN 2024. Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам
Уровень конференции Международный
Тема доклада Study of the Formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method
Тип доклада секционный
Дата участия 14.05.2024 - 17.05.2024

Общее число публикаций в рамках конференций - 251
Публикации в рамках конференций
181 Grigorev D.V., Voitsekhovskii A. V., Lozovoy K. A., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Changes in the Electro-Physical Propertyies of Mct Epitaxial Films Affected by a Plasma Volume Discharge Induced by an Avalache Beam in Atmospheric-Pressure Air //Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2015)/ 12-th International Conference. Abstracts. Томск: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 209.
182 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dziadukh S. M., Grigoryev D. V., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Influence of Plasma Volume Discharge in Atmospheric-Pressure Air on the Admittance of MIS Structures Based on MBE p-HgCdTe //Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2015)/ 12-th International Conference. Abstracts. Томск: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 211.
183 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Лозовой К.А. Наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками элементная база фотоэлектроники и фотовольтаики //Фотоника нано- и микроструктур (ФНМС-2015). 3-я Международная Школа-семинар. Сборник трудов. Томск: Изд-во ТУСУР, 2015. С. 7.
184 Bonchyk A.Yu., Mohylyak I.A., Savitskii G. V., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A. V., Izhnin I.I. Comparison of Background Donor Concentration in HgCdTe Grown With Different Technologies //Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems. Materials of XV International Conference / Ed. by Honored scientist of Ukraine, Dr. Chem. Sci., Prof. Freik D.M. Ivano-Frankivsk, 2015. P. 258.
185 Grigoryev D. V., Voitsekhovskii A. V., Lozovoy K. A., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films //The 12th International Conference "Atomic and Molecular Pulsed Lasers": Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 89-90.
186 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N. UV photodetectors based on wide-gap AlGaN semiconductors //The 12th International Conference "Atomic and Molecular Pulsed Lasers": Abstracts. Tomsk: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 121.
187 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Ю.Г. Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 //Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2015. С. 138.
188 Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Swiatek Z., Ozga P. Электрофизические и оптические исследования нейтральных дефектов в эпитаксиальных пленках CdxHg1-xTe //Тезисы докладов XII Российской конференции по физике полупроводников. Москва, 2015. С. 333.
189 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова //"Вакуумная техника, материалы и технология". Материалы Х Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова. Москва, 2015. С. 238-242.
190 Кульчицкий Н.А., Мельников А.А., Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si //"Вакуумная техника, материалы и технология". Материалы Х Международной научно-технической конференции. Под редакцией доктора технических наук, профессора С.Б. Нестерова. Москва, 2015. С. 243-248.