Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 258
1) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
2) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
3) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
4) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
5) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
6) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
7) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
8) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
9) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
10) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 247
Публикации в рамках конференций
171 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного теллурида кадмия и ртути, ыращенного методом МЛЭ на альтернативных подложках //От конвергенции наук к природоподобным технологиям. Первый Российский кристаллографический конгресс: Сборник тезисов. 21-26 ноября 2016. Москва, 2016. С. 396.
172 A.V. Barko, A.V. Voitsekhovskii, A.G. Levashkin, A. P. Kokhanenko. Calculation of parameters of detectors of terahertz range based on the system immersion lens-planar antenna-semiconductor sensing unit //Actual problems of radiophysics : proceedings of the VI International cоnfеrеnсе "APR-2015". Tomsk, 2016. P. 9-11.
173 А.А. Pishchagin, K.A. Lozovoy, V.Yu. Serokhvostov, A. P. Kokhanenko, A.V. Voitsekhovskii, A.I. Nikiforov. Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectrosсору methods //Actual problems of radiophysics : proceedings of the VI International cоnfеrеnсе "APR-2015". Tomsk, 2016. P. 45-48.
174 Новиков В.А., Григорьев Д.В., Войцеховский А.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe //Нанофизика и наноэлектроника. Труды XIX Международного симпозиума. Том II. Нижний Новгород, 2015. С. 601-602.
175 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Свойства наноструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe для фотоники //Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015. XI Междунар. науч. конгр., 13-25 апреля 2015 г., Новосибирск: Междунар. науч. конф. «СибОптика-2015»: сб. материалов в 3 т.. Том 1. Новосибирск, 2015. С. 184-188.
176 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Никифоров А.И., Лозовой К.А. Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники //Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015. XI Междунар. науч. конгр., 13-25 апреля 2015 г., Новосибирск: Междунар. науч. конф. «СибОптика-2015»: сб. материалов в 3 т.. Том 1. Новосибирск, 2015. С. 201-205.
177 Grigorev D.V., Voitsekhovskii A. V., Lozovoy K. A., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Changes in the Electro-Physical Propertyies of Mct Epitaxial Films Affected by a Plasma Volume Discharge Induced by an Avalache Beam in Atmospheric-Pressure Air //Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2015)/ 12-th International Conference. Abstracts. Томск: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 209.
178 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dziadukh S. M., Grigoryev D. V., Tarasenko V. F., Shulepov M.A. Influence of Plasma Volume Discharge in Atmospheric-Pressure Air on the Admittance of MIS Structures Based on MBE p-HgCdTe //Gas Discharge Plasmas and Their Applications (GDP 2015)/ 12-th International Conference. Abstracts. Томск: Publishing House of IAO SB RAS, 2015. P. 211.
179 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Лозовой К.А. Наноструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками элементная база фотоэлектроники и фотовольтаики //Фотоника нано- и микроструктур (ФНМС-2015). 3-я Международная Школа-семинар. Сборник трудов. Томск: Изд-во ТУСУР, 2015. С. 7.
180 Bonchyk A.Yu., Mohylyak I.A., Savitskii G. V., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A. V., Izhnin I.I. Comparison of Background Donor Concentration in HgCdTe Grown With Different Technologies //Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems. Materials of XV International Conference / Ed. by Honored scientist of Ukraine, Dr. Chem. Sci., Prof. Freik D.M. Ivano-Frankivsk, 2015. P. 258.