Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 271
1) Лазерные, плазменные исследования и технологии ЛаПлаз-2026. XII Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы дефектообразования рентгеновским излучением на границе раздела поверхностный окисел – антимонид индия
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.02.2026 - 06.02.2026
2) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe
Тип доклада секционный
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
3) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий
Тип доклада стендовый
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
4) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре
Тип доклада стендовый
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
5) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса
Тип доклада пленарный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
6) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
7) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Модификация свойств границ раздела поверхностный окисел-антимонид индия мягким рентгеновским излучением
Тип доклада пленарный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
8) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором
Тип доклада секционный
Дата участия 08.09.2025 - 12.09.2025
9) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером
Тип доклада стендовый
Дата участия 08.09.2025 - 12.09.2025
10) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 10.03.2025 - 14.03.2025

Общее число публикаций в рамках конференций - 261
Публикации в рамках конференций
171 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н. Инфракрасные МЭМС микроболометры //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 426-430.
172 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Свойства границы раздела в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.29-0.39) с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 430-435.
173 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Васильев В.В., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Сидоров Г.Ю. Влияние варизонного слоя на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) с диэлектриком Al2O3 //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 435-439.
174 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А. Темновой ток и обнаружительная способность фотоприемников с квантовыми точками германия на кремнии //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 439-442.
175 Fitsych O.I., Izhnin I.I., Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Mynbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Swiatek Z, Ozga P. Properties of arsenic-implanted CdxHg1-xTe MBE structures //7th International scientific and technical conference «Sensor Electronics and Microsystem Technologies» (SEMST-7). Ukraine, Odessa, 2016. P. 129.
176 К.А. Лозовой, А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский. Моделирование процессов роста квантовых точек пирамидальной и клиновидной формы в системе GexSi1-x/Si с учетом различных энергетических факторов //Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Кремний-2016. 12-15 сентября 2016 г. Новосибирск, 2016. С. 51.
177 А.А. Пищагин, В.Ю. Серохвостов, А.В. Войцеховский, А.П. Коханенко, А.И. Никифоров, В.А. Тимофеев. Температурные спектры проводимости гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge //Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Кремний-2016. 12-15 сентября 2016 г. Новосибирск, 2016. С. 178.
178 А.П. Коханенко, К.А. Лозовой, А.В. Войцеховский. Расчет шумовых и сигнальных характеристик фотодетекторов с квантовыми точками германия на кремнии //Тезисы докладов XI Конференции и X Школы молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе. Кремний-2016. 12-15 сентября 2016 г. Новосибирск, 2016. С. 173.
179 Alexander Voitsekhovskii, Sergey Nesmelov, Stanislav Dzyadukh, Viktor Sredin, Andrei Melekhov, Oleg Ananiin, Georgy Sidorov. The effect of soft X-rays on the electrical characteristics of MIS structures based on MBE HgCdTe with near-surface graded-gap layers //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 269.
180 Alexander Voitsekhovskii, Sergey Nesmelov, Stanislav Dzyadukh, Ihor Izhnin. Some properties of near-surface layer of graded-gap MBE HgCdTe after boron ion implantation //International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects: Abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2016. P. 270.