ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 262
1) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 10.03.2025 - 14.03.2025
2) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2025 - 31.01.2025
3) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2025 - 31.01.2025
4) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 07.10.2024 - 11.10.2024
5) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2024 - 20.09.2024
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
7) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
8) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
9) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
10) Saint Petersburg OPEN 2024. 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Saint Petersburg OPEN 2024. Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам
Уровень конференции Международный
Тема доклада Study of the Formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method
Тип доклада секционный
Дата участия 14.05.2024 - 17.05.2024

Общее число публикаций в рамках конференций - 251
Публикации в рамках конференций
151 K.A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A.V. Voitsekhovskii. Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges //Saint-Petersburg OPEN 2016: Book of abstracts 3rd International School and Conference. St. Petersburg, Russia, 2016. P. 54-55.
152 I.I. Izhnin, A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, S.N. Nesmelov, M. Pociask-Bialy. Influence of infrared radiation on the electrical characteristics of the surface-barrier nanostructures based on MBE HgCdTe //Book of abstracts International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors (IC SeNOB 2016) 22-25 May 2016. Rzeszow, Poland, 2016. P. 83.
153 I.I. Izhnin, A.V. Voitsekhovskii, A.G. Korotaev, О.I. Fitsych, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, R. Jakiela, M. Trzyna. Properties of arsenic-implanted CdxHg1-xTe MBE films //Book of abstracts International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors (IC SeNOB 2016) 22-25 May 2016. Rzeszow, Poland, 2016. P. 84.
154 I.I. Izhnin, E.I. Fitsych, A A Pishchagin, A.V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, V.Yu. Serokhvostov, S.M. Dzyadukh, A.I. Nikiforov. Temperature spectra of conductance of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots //The International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2016). Abstract book of participants of the International Summer School and International research and practice conference, 24-26 Auqust 2016. Lviv: Eurosvit, 2016. P. 387.
155 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О релаксации сопротивления фоторезисторов на основе Cd0,29Hg0,71Те при воздействии импульсного лазерного ИК-излучения в подпороговом режиме //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 75-79.
156 Средин В.Г., Войцеховский А.В., Ананьин О.Б., Мелехов А.П., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Г.Ю. Избирательное действие мягкого рентгеновского излучения на поверхностные свойства твердых растворов CdxHg1-xTe //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 91-94.
157 Ижнин И.И., Фицич Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Ozga P, Swiatek Z. Дефектная структура имплантированных As МЛЭ пленок CdHgTe //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 80-82.
158 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Анализ барьерных структур типа nBn для фотодиодных примников ИК-излучения //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 408-412.
159 Войцеховский А.В., Григорьев Д.В., Коротаев А.Г., Коханенко А.П., Ижнин И.И., Савицкий Г.В., Бончик А.Ю., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Радиационное дефектообразование при ионной имплантации бора в эпитаксиальные пленки Hg1-xCdxTe различного состава //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 419-421.
160 Войцеховский А.В., Кульчицкий Н.А., Несмелов С.Н. Инфракрасные детекторы на основе МЭМС микрокантилеверов //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 422-426.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность