Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 271
1) Лазерные, плазменные исследования и технологии ЛаПлаз-2026. XII Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы дефектообразования рентгеновским излучением на границе раздела поверхностный окисел – антимонид индия
Тип доклада стендовый
Дата участия 02.02.2026 - 06.02.2026
2) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe
Тип доклада секционный
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
3) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий
Тип доклада стендовый
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
4) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре
Тип доклада стендовый
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
5) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса
Тип доклада пленарный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
6) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
7) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Модификация свойств границ раздела поверхностный окисел-антимонид индия мягким рентгеновским излучением
Тип доклада пленарный
Дата участия 16.09.2025 - 18.09.2025
8) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором
Тип доклада секционный
Дата участия 08.09.2025 - 12.09.2025
9) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером
Тип доклада стендовый
Дата участия 08.09.2025 - 12.09.2025
10) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 10.03.2025 - 14.03.2025

Общее число публикаций в рамках конференций - 261
Публикации в рамках конференций
141 Дефектная структура в As имплантированных пленках CdHgTe, полученных методом МЛЭ / И.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, А.В. Войцеховский, А.Г. Коротаев [и др.] // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 65.
142 А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский, К.А. Лозовой. Моделирование процессов формирования квантовых точек в системе GeSn/Si //Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 90.
143 Диагностика электрофизических параметров структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для пассивации поверхности инфракрасных детекторов / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, В.С. Варавин [и др.] // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 117.
144 Исследование барьерных структур на основе КРТ для создания фотодиодных приемников ИК-диапазона / А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух [и др.] // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 118.
145 Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Г.Ю. [и др.] // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" посвященная памяти профессора С.С. Горелика, 2-5 окт. 2017 г. Москва. Вторая Международная Школа Молодых Ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения" : тез. докл. [М.], 2017. С. 58. 1 электрон. опт. диск (CD-ROM).
146 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" посвященная памяти профессора С.С. Горелика, 2-5 окт. 2017 г. Москва. Вторая Международная Школа Молодых Ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения" : тез. докл. [М.], 2017. С. 128. 1 электрон. опт. диск (CD-ROM).
147 Поверхностное дефектообразование в Cdx Hg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы / Средин В.Г., Войцеховский А.В., Ананьин О.Б., Мелехов А.П. [и др.] // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" посвященная памяти профессора С.С. Горелика, 2-5 окт. 2017 г. Москва. Вторая Международная Школа Молодых Ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения" : тез. докл. [М.], 2017. С. 198. 1 электрон. опт. диск (CD-ROM).
148 Electrical Properties of the MIS Structures Based on MBE HgCdTe with SiO2/Si3N4 and Al2O3 Insulating Layers / I. Izhnin, A. Voitsekhovskii, S. Nesmelov, S. Dzyadukh [et al] // International Conference on Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications (OMEE-2017) : book of abstracts may 29 - june 2, 2017 Lviv. Lviv, 2017. P. 37. 1 electron. opt. disc. (CD-ROM).
149 Defect Structure of Arsenic Implanted HgCdTe Layers by HRTEM / Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Swiatek Z, Y. Morgiel [et al] // XVI International Conference Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems (dedicated to memory Professor Dmytro Freik) : materials. Ivano-Frankivsk, 2017. P. 270.
150 Nanosize defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films / Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel Y. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 544.