Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 254
1) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
2) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
3) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
4) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
5) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
6) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
7) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
8) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов
Тип доклада устный
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
9) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
10) Лазерные, плазменные исследования и технологии. ЛаПлаз-2023. IX Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 28.03.2023 - 31.03.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 243
Публикации в рамках конференций
141 К.А. Лозовой, А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский. Расчет критической толщины перехода по СтранскомуКрастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si //Актуальные проблемы радиофизики : сб. тр. VII Междунар. науч.-практ. конф., г. Томск, 18-22 сент. 2017 г. Томск: STT, 2017. С. 257-260.
142 A A Pishchagin, A V Voitsekhovskii, A P Kokhanenko, V Yu Serokhvostov, S M Dzyadukh, A I Nikiforov. Investigation of Ge/Si with Ge quantum dots structures using the methods of admittance spectroscopy //Saint-Petersburg OPEN 2016: Book of abstracts 3rd International School and Conference. St. Petersburg, Russia, 2016. P. 82-83.
143 K.A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A.V. Voitsekhovskii. Ge/Si elongated quantum dots formation modelling with respect to the energy of edges //Saint-Petersburg OPEN 2016: Book of abstracts 3rd International School and Conference. St. Petersburg, Russia, 2016. P. 54-55.
144 I.I. Izhnin, A.V. Voitsekhovskii, S.M. Dzyadukh, S.N. Nesmelov, M. Pociask-Bialy. Influence of infrared radiation on the electrical characteristics of the surface-barrier nanostructures based on MBE HgCdTe //Book of abstracts International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors (IC SeNOB 2016) 22-25 May 2016. Rzeszow, Poland, 2016. P. 83.
145 I.I. Izhnin, A.V. Voitsekhovskii, A.G. Korotaev, О.I. Fitsych, O. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, K. D. Mynbaev, V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.V. Yakushev, R. Jakiela, M. Trzyna. Properties of arsenic-implanted CdxHg1-xTe MBE films //Book of abstracts International Conference on Semiconductor Nanostructures for Optoelectronics and Biosensors (IC SeNOB 2016) 22-25 May 2016. Rzeszow, Poland, 2016. P. 84.
146 I.I. Izhnin, E.I. Fitsych, A A Pishchagin, A.V. Voitsekhovskii, A. P. Kokhanenko, V.Yu. Serokhvostov, S.M. Dzyadukh, A.I. Nikiforov. Temperature spectra of conductance of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots //The International research and practice conference «Nanotechnology and nanomaterials» (NANO-2016). Abstract book of participants of the International Summer School and International research and practice conference, 24-26 Auqust 2016. Lviv: Eurosvit, 2016. P. 387.
147 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О релаксации сопротивления фоторезисторов на основе Cd0,29Hg0,71Те при воздействии импульсного лазерного ИК-излучения в подпороговом режиме //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 75-79.
148 Средин В.Г., Войцеховский А.В., Ананьин О.Б., Мелехов А.П., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Г.Ю. Избирательное действие мягкого рентгеновского излучения на поверхностные свойства твердых растворов CdxHg1-xTe //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 91-94.
149 Ижнин И.И., Фицич Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д., Варавин В.С., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Якушев М.В., Бончик А.Ю., Савицкий Г.В., Ozga P, Swiatek Z. Дефектная структура имплантированных As МЛЭ пленок CdHgTe //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 80-82.
150 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Анализ барьерных структур типа nBn для фотодиодных примников ИК-излучения //Труды XXIV Международной научно-технической конференции по фотоэлектронике и приборам ночного видения. М: АО "НПО "Орион", 2016. С. 408-412.