ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 262
1) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 10.03.2025 - 14.03.2025
2) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2025 - 31.01.2025
3) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2025 - 31.01.2025
4) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 07.10.2024 - 11.10.2024
5) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2024 - 20.09.2024
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
7) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
8) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
9) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
10) Saint Petersburg OPEN 2024. 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Saint Petersburg OPEN 2024. Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам
Уровень конференции Международный
Тема доклада Study of the Formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method
Тип доклада секционный
Дата участия 14.05.2024 - 17.05.2024

Общее число публикаций в рамках конференций - 251
Публикации в рамках конференций
141 Nanostructures with G-Si quantum dots for infrared photodetectors / Izhnin I.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko А.Р. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 559.
142 Luminescence studies of HgCdTe-and InAsSb-based quantum well structures / Izhnin I.I., Izhnin A.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 560.
143 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Кинетика формирования наноструктур с квантовыми точками в системах GexSi1-x/Sn/Si и GexSnySi1-x-y/Si // XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 окт. 2017 г. Екатеренбург : тез. докл. Екатеринбург, 2017. С. 96.
144 Дефекты в имплантированных As МЛЭ структурах CdHgTe / Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г. [и др.] // XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 окт. 2017 г. Екатеренбург : тез. докл. Екатеринбург, 2017. С. 301.
145 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1xTe в процессе отжига в равновесных парах ртути // XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 окт. 2017 г. Екатеренбург : тез. докл. Екатеринбург, 2017. С. 323.
146 Modification of electrophysical parameters of HgCdTe epitaxial heterostructures under the action of a pulsed nanosecond discharge in gas environment at atmospheric-pressure / D.V. Grigoryev, A.V. Voitsekhovskii, V.F. Tarasenko, M.A. Shulepov [et al] // Pulsed lasers and laser applications AMPL-2017 : abstracts of XIII International Conference. Tomsk: STT, 2017. P. 139‒140.
147 Горн Д.И., Войцеховский А.В. Фотолюминесценция в одиночных квантовых ямах HgCdTe // Сборник трудов X Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика-2017», С.-Петерб., 16-20 окт. 2017 г. СПб.: Университет ИТМО, 2017. С. 374.
148 Горн Д.И., Войцеховский А.В. Пути создания примников ИК-излучения на основе nBn структур CdHgTe // Сборник трудов X Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика-2017», С.-Петерб., 16-20 окт. 2017 г. СПб.: Университет ИТМО, 2017. С. 375‒376.
149 К.А. Лозовой, А.П. Коханенко, А.В. Войцеховский. Расчет критической толщины перехода по СтранскомуКрастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si //Актуальные проблемы радиофизики : сб. тр. VII Междунар. науч.-практ. конф., г. Томск, 18-22 сент. 2017 г. Томск: STT, 2017. С. 257-260.
150 A A Pishchagin, A V Voitsekhovskii, A P Kokhanenko, V Yu Serokhvostov, S M Dzyadukh, A I Nikiforov. Investigation of Ge/Si with Ge quantum dots structures using the methods of admittance spectroscopy //Saint-Petersburg OPEN 2016: Book of abstracts 3rd International School and Conference. St. Petersburg, Russia, 2016. P. 82-83.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность