ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 258
1) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 07.10.2024 - 11.10.2024
2) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
Тип доклада устный
Дата участия 16.09.2024 - 20.09.2024
3) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
4) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
5) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
7) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
8) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
9) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
10) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 249
Публикации в рамках конференций
131 Диагностика электрофизических параметров структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для пассивации поверхности инфракрасных детекторов / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух, В.С. Варавин [и др.] // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 117.
132 Исследование барьерных структур на основе КРТ для создания фотодиодных приемников ИК-диапазона / А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух [и др.] // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 118.
133 Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Сидоров Г.Ю. [и др.] // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" посвященная памяти профессора С.С. Горелика, 2-5 окт. 2017 г. Москва. Вторая Международная Школа Молодых Ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения" : тез. докл. [М.], 2017. С. 58. 1 электрон. опт. диск (CD-ROM).
134 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" посвященная памяти профессора С.С. Горелика, 2-5 окт. 2017 г. Москва. Вторая Международная Школа Молодых Ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения" : тез. докл. [М.], 2017. С. 128. 1 электрон. опт. диск (CD-ROM).
135 Поверхностное дефектообразование в Cdx Hg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы / Средин В.Г., Войцеховский А.В., Ананьин О.Б., Мелехов А.П. [и др.] // Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" посвященная памяти профессора С.С. Горелика, 2-5 окт. 2017 г. Москва. Вторая Международная Школа Молодых Ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения" : тез. докл. [М.], 2017. С. 198. 1 электрон. опт. диск (CD-ROM).
136 Electrical Properties of the MIS Structures Based on MBE HgCdTe with SiO2/Si3N4 and Al2O3 Insulating Layers / I. Izhnin, A. Voitsekhovskii, S. Nesmelov, S. Dzyadukh [et al] // International Conference on Oxide Materials for Electronic Engineering – fabrication, properties and applications (OMEE-2017) : book of abstracts may 29 - june 2, 2017 Lviv. Lviv, 2017. P. 37. 1 electron. opt. disc. (CD-ROM).
137 Defect Structure of Arsenic Implanted HgCdTe Layers by HRTEM / Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Swiatek Z, Y. Morgiel [et al] // XVI International Conference Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems (dedicated to memory Professor Dmytro Freik) : materials. Ivano-Frankivsk, 2017. P. 270.
138 Nanosize defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films / Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel Y. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 544.
139 Nanostructures with G-Si quantum dots for infrared photodetectors / Izhnin I.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko А.Р. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 559.
140 Luminescence studies of HgCdTe-and InAsSb-based quantum well structures / Izhnin I.I., Izhnin A.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 560.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность