Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 254
1) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607.
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
2) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286.
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
3) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов / К.А. Лозовой, В.В. Дирко, О.И. Кукенов, А.С. Соколов [и др.] // Невская фотоника-2023 : Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов, 9-13 октября 2023 г. СПб.: Университет ИТМО, 2023. С. 297.
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
4) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Невская фотоника-2023 : Всероссийская научная конференция с международным участием : сборник научных трудов, 9-13 октября 2023 г. СПб.: Университет ИТМО, 2023. С. 123.
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
5) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 267‒269.
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
6) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне / С.М. Дзядух, А.В. Войцеховский, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 270‒272.
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
7) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.А. Степаненко [и др.] // Актуальные проблемы радиофизики: 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 г., г. Томск : сборник трудов конференции. Томск: Изд. дом Том. гос. ун-та, 2023. С. 295‒296.
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
8) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов / Н.Н. Михайлов, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, Варавин В.С. [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 85. DOI: 10.34077/RCSP2023-85
Тип доклада устный
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
9) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Фотоника 2023: Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), Новосибирск, 4-8 сентября 2023 г. : тезисы докладов. М.: Перо, 2023. С. 143. DOI: 10.34077/RCSP2023-143
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
10) Лазерные, плазменные исследования и технологии. ЛаПлаз-2023. IX Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, В.Г. Средин, А.П. Мелехов [и др.] // IX Международная конференция «Лазерные, плазменные исследования и технологии» ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2023. С. 43.
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 28.03.2023 - 31.03.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 243
Публикации в рамках конференций
131 Defect Structure of Arsenic Implanted HgCdTe Layers by HRTEM / Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Swiatek Z, Y. Morgiel [et al] // XVI International Conference Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems (dedicated to memory Professor Dmytro Freik) : materials. Ivano-Frankivsk, 2017. P. 270.
132 Nanosize defects in arsenic implanted HgCdTe epitaxial films / Bonchyk O.Yu., Savytskyy H.V., Swiatek Z., Morgiel Y. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 544.
133 Nanostructures with G-Si quantum dots for infrared photodetectors / Izhnin I.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko А.Р. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 559.
134 Luminescence studies of HgCdTe-and InAsSb-based quantum well structures / Izhnin I.I., Izhnin A.I., Fitsych O.I., Voitsekhovskii A.V. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2017), 23-26 august 2017 Chernivtsi : book of abstracts. Kiev, 2017. P. 560.
135 Лозовой К.А., Коханенко А.П., Войцеховский А.В. Кинетика формирования наноструктур с квантовыми точками в системах GexSi1-x/Sn/Si и GexSnySi1-x-y/Si // XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 окт. 2017 г. Екатеренбург : тез. докл. Екатеринбург, 2017. С. 96.
136 Дефекты в имплантированных As МЛЭ структурах CdHgTe / Ижнин И.И., Фицыч Е.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г. [и др.] // XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 окт. 2017 г. Екатеренбург : тез. докл. Екатеринбург, 2017. С. 301.
137 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1xTe в процессе отжига в равновесных парах ртути // XIII Российская конференция по физике полупроводников, 2-6 окт. 2017 г. Екатеренбург : тез. докл. Екатеринбург, 2017. С. 323.
138 Modification of electrophysical parameters of HgCdTe epitaxial heterostructures under the action of a pulsed nanosecond discharge in gas environment at atmospheric-pressure / D.V. Grigoryev, A.V. Voitsekhovskii, V.F. Tarasenko, M.A. Shulepov [et al] // Pulsed lasers and laser applications AMPL-2017 : abstracts of XIII International Conference. Tomsk: STT, 2017. P. 139‒140.
139 Горн Д.И., Войцеховский А.В. Фотолюминесценция в одиночных квантовых ямах HgCdTe // Сборник трудов X Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика-2017», С.-Петерб., 16-20 окт. 2017 г. СПб.: Университет ИТМО, 2017. С. 374.
140 Горн Д.И., Войцеховский А.В. Пути создания примников ИК-излучения на основе nBn структур CdHgTe // Сборник трудов X Международной конференции молодых ученых и специалистов «Оптика-2017», С.-Петерб., 16-20 окт. 2017 г. СПб.: Университет ИТМО, 2017. С. 375‒376.