ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 261
1) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2025 - 31.01.2025
2) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2025 - 31.01.2025
3) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 07.10.2024 - 11.10.2024
4) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2024 - 20.09.2024
5) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
7) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
8) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
9) Saint Petersburg OPEN 2024. 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Saint Petersburg OPEN 2024. Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам
Уровень конференции Международный
Тема доклада Study of the Formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method
Тип доклада секционный
Дата участия 14.05.2024 - 17.05.2024
10) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024

Общее число публикаций в рамках конференций - 250
Публикации в рамках конференций
121 Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A. Modeling of epitaxial quantum dots growth with respect to the interactions between islands // STRANN-2018. State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, VI International Conference, 17-19 october 2018, Moscow : abstracts. [S. l.], 2018. P. 181‒182.
122 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Lozovoy K.A. Numerical simulation of the effect of slow surface states of a nanosized transition layer on the admittance of hybrid organic-inorganic systems // STRANN-2018. State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, VI International Conference, 17-19 october 2018, Moscow : abstracts. [S. l.], 2018. P. 183‒185.
123 Профили структурных дефектов в имплатированных мышьяком эпитаксиальных пленках CdHgTe по данным оптического отражения / Войцеховский А.В., Ижнин И.И., Коротаев А.Г., Мынбаев К.Д. [и др.] // Сборник трудов X Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики – 2018», Санкт-Петербург, 15-19 окт. 2018 г. СПб.: Университет ИТМО, 2018. С. 389‒390.
124 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe в диапазоне температур 9-250 К //Сборник трудов X Международной конференции «Фундаментальные проблемы оптики – 2018», Санкт-Петербург, 15-19 окт. 2018 г. СПб.: Университет ИТМО, 2018. С. 395-397.
125 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Электрофизические характеристики многослойных структур для органических светодиодов //Актуальные проблемы оптотехники : сб. материалов Национальной науч.-техн. конф. Новосибирск: СГУГиТ, 2018. С. 66-70.
126 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Моделирование емкостных характеристик гибридных органо-неорганических систем с учетом влияния последовательного сопротивления и состояний на границе раздела //Актуальные проблемы оптотехники : сб. материалов Национальной науч.-техн. конф. Новосибирск: СГУГиТ, 2018. С. 61-65.
127 А.В. Войцеховский, Н.А. Кульчицкий, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. МДП-структуры на основе варизонного МЛЭ HgCdTe для инфракрасных детекторов // VI Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сб. науч. тр. М., 2017. С. 378‒379.
128 А.В. Войцеховский, Н.А. Кульчицкий, С.Н. Несмелов, С.М. Дзядух. Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe // VI Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сб. науч. тр. М., 2017. С. 380‒381.
129 Н.Х. Талипов, А.В. Войцеховский. Многоэлементные фотоприемники ультрафиолетового диапазона на основе алмаза //Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 27.
130 Дефектная структура в As имплантированных пленках CdHgTe, полученных методом МЛЭ / И.И. Ижнин, Е.И. Фицыч, А.В. Войцеховский, А.Г. Коротаев [и др.] // Фотоника 2017 : рос. конф. и шк. мол. ученых по актуальным проблемам полупродниковой фотоэлектроники (с участием иностр. ученых), 11-15 сент. 2017 г., Новосибирск : тез. докл. Новосибирск: ИПЦ НГУ, 2017. С. 65.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность