ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 257
1) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
Тип доклада устный
Дата участия 16.09.2024 - 20.09.2024
2) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
3) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
4) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
5) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
6) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
7) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
8) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
9) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
10) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 248
Публикации в рамках конференций
111 The relaxation of electrophysical properties of MCT epitaxial films after influence of a high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric pressure air / Ermachenkov P.A., Grigoryev D.V., Voitsekhovskii A.V., Tarasenko V.F. [et al] // 6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2018), 16-22 september 2018, Tomsk : abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2018. P. 349.
112 Voitsekhovskii A.V., Sredin V.G., Anan`in O.B., Melekhov A.P., Nesmelov S.N., Dziadukh S.M., Yurchak V.A. Investigation of the effect of soft x-ray radiation on the electrophysical characteristics of epitaxial layers n-Hg1-xCdxTe //6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2018), 16-22 september 2018, Tomsk : abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2018. P. 353.
113 Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I., Syvorotka I.I., Korotaev A.G., My'nbaev K.D., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Mikhailov N.N., Remesnik V.G., Yakushev M.V. Distribution profiles of radiation donor defects in arsenic-implanted HgCdTe films //6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2018), 16-22 september 2018, Tomsk : abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2018. P. 354.
114 Interactions between islands in thermodynamic and kinetic models of epitaxial quantum dot growth / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Izhnin I.I. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 163.
115 Electrical properties of n-HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 705.
116 Srucrural defects study of HgTe/CdHgTe quantum wells / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Dvoretsky S.A., Bonchyk O.Yu. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomatherials" (NANO-2018), 27-30 august 2018, Kyiv : abstract book. Kiev: SME Burlaka, 2018. P. 710.
117 Radiation donor defect profiles in arsenic-implanted HgCdTe film / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Fitsych O.I., Izhnin I.I. [et al] // Сенсорна елелктронiка та мiлросистемнi технологii (CEMCT-8) (з виставкою разборок та промислових зразкiв сенсорiв), 8-ма Мiжнародна науково-технiчна конференцiя : тези доповiдей. Oдеса: Астропринт, 2018. P. 174.
118 Profiles of radiation donor defects distribution in HgCdTe epitaxial films implanted with arsenic / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Izhnin I.I., My'nbaev K.D. [et al] // 8-ма Украiнска наукова конференцiя з фiзики напiвпровiдникiв : матерiали конференцii (УНКФН-8), Ужгород, 2-4 жовтня 2018. Кн. 2. Ужгород: ТОВ "Piк-У", 2018. P. 327‒328.
119 Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A. Modeling of epitaxial quantum dots growth with respect to the interactions between islands // STRANN-2018. State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, VI International Conference, 17-19 october 2018, Moscow : abstracts. [S. l.], 2018. P. 181‒182.
120 Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Lozovoy K.A. Numerical simulation of the effect of slow surface states of a nanosized transition layer on the admittance of hybrid organic-inorganic systems // STRANN-2018. State-of-the art trends of Scientific Research of Artificial and Natural Nanoobjects, VI International Conference, 17-19 october 2018, Moscow : abstracts. [S. l.], 2018. P. 183‒185.

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность