Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 270
1) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Оптическое отражение ионно-имплантированных эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe
Тип доклада секционный
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
2) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Моделирование образования пирамидальных эпитаксиальных островков с различным контактным углом для антиотражающих покрытий
Тип доклада стендовый
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
3) Невская фотоника-2025. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Диффузионное ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nB(SL)n фоточувствительной структуре
Тип доклада стендовый
Дата участия 13.10.2025 - 18.10.2025
4) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Исследование темновых характеристик LWIR nB(SL)n-структур методом спектроскопии адмиттанса
Тип доклада пленарный
Дата участия 10.09.2025 - 12.09.2025
5) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Адмиттансные характеристики MWIR nBn-структур со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада секционный
Дата участия 10.09.2025 - 12.09.2025
6) APR - 2025. Актуальные проблемы радиофизики. XI Международная научно-практическая конференция.
Уровень конференции Международный
Тема доклада Модификация свойств границ раздела поверхностный окисел-антимонид индия мягким рентгеновским излучением
Тип доклада пленарный
Дата участия 10.09.2025 - 12.09.2025
7) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Сравнительный анализ составов носителей заряда в эпитаксиальных пленках CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантированных мышьяком, кремнием и бором
Тип доклада секционный
Дата участия 08.09.2025 - 12.09.2025
8) Фотоника-2025. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фоновое ограничение темнового тока в MWIR МЛЭ HgCdTe nBn фоточувствительной структуре со сверхрешёточным барьером
Тип доклада стендовый
Дата участия 08.09.2025 - 12.09.2025
9) Нанофизика и наноэлектроника. XXIX Симпозиум
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Фотоэлектрические характеристики MWIR nBn-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 10.03.2025 - 14.03.2025
10) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2025 - 31.01.2025

Общее число публикаций в рамках конференций - 259
Публикации в рамках конференций
111 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Никитин М.С. Об особенностях эффекта Холла в МЛЭ и ЖФЭ гетероэпитаксиальных структурах n-CdxHg1-xTe в импульсном магнитном поле до 55 Тл //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 239-241.
112 Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 241‒244.
113 Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Средин В.Г. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 392‒394.
114 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Моделирование зонных диаграмм барьерных структур на основе КРТ // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 395‒398.
115 Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 398‒401.
116 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 401‒405.
117 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Никитин М.С., Денисов И.А. О природе конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжига //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 405-407.
118 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О нагреве Cd0,22Hg0,78Te в процессе ионно-лучевого травления //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 408-410.
119 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Духан Р.М. Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 486-489.
120 Transmission Electron Microscopy Study of HgTe/CdHgTe Quantum Wells / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Izhnin I.I., Bonchyk O.Yu. [et al] // Proceedings of the 2018 IEEE 8th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP-2018) Part 2. Sumy: Sumy State University, 2018. P. 02PN05-1‒02PN05-4.