Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 256
1) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
2) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
3) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
4) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
5) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
6) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
7) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
8) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
9) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
10) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 247
Публикации в рамках конференций
101 Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Средин В.Г. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 392‒394.
102 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Моделирование зонных диаграмм барьерных структур на основе КРТ // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 395‒398.
103 Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 398‒401.
104 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 401‒405.
105 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Никитин М.С., Денисов И.А. О природе конверсии МЛЭ гетероэпитаксиальных структур n-CdxHg1-xTe в процессе отжига //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 405-407.
106 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В. О нагреве Cd0,22Hg0,78Te в процессе ионно-лучевого травления //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 408-410.
107 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Духан Р.М. Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 486-489.
108 Transmission Electron Microscopy Study of HgTe/CdHgTe Quantum Wells / Voitsekhovskii A.V., Korotaev A.G., Izhnin I.I., Bonchyk O.Yu. [et al] // Proceedings of the 2018 IEEE 8th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP-2018) Part 2. Sumy: Sumy State University, 2018. P. 02PN05-1‒02PN05-4.
109 Influence of Direct Impingement of Atoms onto the Islands During the Stranski-Krastanow Growth / Lozovoy K.A., Kokhanenko A.P., Voitsekhovskii A.V., Izhnin I.I. [et al] // Proceedings of the 2018 IEEE 8th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP-2018) Part 2. Sumy: Sumy State University, 2018. P. 02PN13-1‒02PN13-4.
110 The relaxation of electrophysical properties of MCT epitaxial films after influence of a high frequency nanosecond volume discharge in atmospheric pressure air / Ermachenkov P.A., Grigoryev D.V., Voitsekhovskii A.V., Tarasenko V.F. [et al] // 6th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE 2018), 16-22 september 2018, Tomsk : abstracts. Tomsk: TPU Publishing House, 2018. P. 349.