Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 254
1) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024
2) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 24.01.2024 - 26.01.2024
3) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
4) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы
Тип доклада стендовый
Дата участия 09.10.2023 - 13.10.2023
5) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Темновые токи nB(SL)n – структур на основе HgCdTe в широком диапазоне смещений
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
6) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические свойства MI - nB(SL)n – структуры на основе HgCdTe в широком температурном диапазоне
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
7) Актуальные проблемы радиофизики. X Международная научно-практическая конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия
Тип доклада приглашенный
Дата участия 26.09.2023 - 29.09.2023
8) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Рост и характеризация nBn структур на основе СdхHg1-хTe для фотоприемников среднего и дальнего ИК диапазонов
Тип доклада устный
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
9) Фотоника 2023. Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых)
Уровень конференции Всероссийский с международным участием
Тема доклада Состояние исследований в области создания униполярных барьерных структур МЛЭ n-HgCdTe со сверхрешётками в качестве барьера
Тип доклада стендовый
Дата участия 04.09.2023 - 08.09.2023
10) Лазерные, плазменные исследования и технологии. ЛаПлаз-2023. IX Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 28.03.2023 - 31.03.2023

Общее число публикаций в рамках конференций - 243
Публикации в рамках конференций
91 Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Bonchyk O.Yu. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 493.
92 Механизмы формирования темнового тока в униполярных барьерных структурах на основе КРТ, вырашенного методом молекулярно-лучевой эптаксии / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Восьмая Международная конференция, посвященная 150-летию открытия Д.И. Менделеевым Периодического закона химических элементов. Актуальные проблемы современного материаловедения. Третья Международная Школа Молодых Ученых, 5-8 ноября 2019 г., Москва : тезисы докладов. М., 2019. С. 73. DOI: 10.26201/ISSP.2019.45.557/Def.Mater.52
93 Исследование параметров дефектов в многослойных органических структурах путем низкотемпературных измерений адмиттанса / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П. [и др.] // Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Восьмая Международная конференция, посвященная 150-летию открытия Д.И. Менделеевым Периодического закона химических элементов. Актуальные проблемы современного материаловедения. Третья Международная Школа Молодых Ученых, 5-8 ноября 2019 г., Москва : тезисы докладов. М., 2019. С. 74. DOI: 10.26201/ISSP.2019.45.557/Def.Mater.53
94 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М. Пороговые характеристики инфракрасных МДП-детекторов на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках // VII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сб. науч. тр. М.: НИЯУ МИФИ, 2018. С. 394‒395.
95 Талипов Н.Х., Войцеховский А.В., Никитин М.С. Об особенностях эффекта Холла в МЛЭ и ЖФЭ гетероэпитаксиальных структурах n-CdxHg1-xTe в импульсном магнитном поле до 55 Тл //XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 239-241.
96 Радиационные донорные дефекты в имплантированных As МЛЭ пленках CdHgTe / Ижнин И.И., Войцеховский А.В., Коротаев А.Г., Дворецкий С.А. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 241‒244.
97 Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Средин В.Г. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 392‒394.
98 Войцеховский А.В., Горн Д.И., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н. Моделирование зонных диаграмм барьерных структур на основе КРТ // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 395‒398.
99 Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 398‒401.
100 Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва : тр. конф. : в 2 т. Т. 2 : Стендовые доклады. М.: Офсет Москва, 2018. С. 401‒405.