ТГУ.Сотрудники

Войцеховский Александр Васильевич

Участие в конференциях
Общее число докладов - 261
1) XIV Международная конференция по фотонике и информационной оптике
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрические характеристики nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для LWIR диапазона
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.01.2025 - 31.01.2025
2) Лазерные, плазменные исследования и технологии – ЛаПлаз-2025. XI Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние мягкого рентгеновского излучения на свойства границ раздела поверхностный диэлектрик – антимонид индия
Тип доклада стендовый
Дата участия 27.01.2025 - 31.01.2025
3) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
Уровень конференции Всероссийский
Тема доклада Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe
Тип доклада стендовый
Дата участия 07.10.2024 - 11.10.2024
4) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
Уровень конференции Международный
Тема доклада Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013)
Тип доклада секционный
Дата участия 16.09.2024 - 20.09.2024
5) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
7) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As
Тип доклада заочное участие с публикацией доклада
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
8) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
Уровень конференции Международный
Тема доклада Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением
Тип доклада стендовый
Дата участия 29.05.2024 - 31.05.2024
9) Saint Petersburg OPEN 2024. 11th International School and Conference on Optoelectronics, Photonics, Engineering and Nanostructures / Saint Petersburg OPEN 2024. Школа-конференция с международным участием по оптоэлектронике, фотонике и наноструктурам
Уровень конференции Международный
Тема доклада Study of the Formation mechanisms of Ge terraces on Si(100) during MBE using the RHEED method
Тип доклада секционный
Дата участия 14.05.2024 - 17.05.2024
10) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
Уровень конференции Международный
Тема доклада Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области
Тип доклада стендовый
Дата участия 11.03.2024 - 15.03.2024

Общее число публикаций в рамках конференций - 250
Публикации в рамках конференций
91 Войцеховская О.К., Войцеховский А.В. Дистанционная диагностика газовых неоднородных сред оптическими методами //Фундаментальные проблемы оптики – 2019. ФПО-2019 : сборник трудов XI Международной конференции, Санкт-Петербург, 21-25 октября 2019 г. СПб.: Университет ИТМО, 2019. С. 91-92.
92 Войцеховский А.В., Горн Д.И. Теоретическое исследование вольт-амперных характеристик фоточувствительных nBn структур крт для ближнего и среднего ИК диапазонов // Фундаментальные проблемы оптики – 2019. ФПО-2019 : сборник трудов XI Международной конференции, Санкт-Петербург, 21-25 октября 2019 г. СПб.: Университет ИТМО, 2019. С. 298.
93 Войцеховский А.В., Коханенко А.П., Лозовой К.А., Дирко В.В., Духан Р.М. Параметры фотоприемников и солнечных элементов с квантовыми точками Ge/Si //Фундаментальные проблемы оптики – 2019. ФПО-2019 : сборник трудов XI Международной конференции, Санкт-Петербург, 21-25 октября 2019 г. СПб.: Университет ИТМО, 2019. С. 296-297.
94 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П., Копылова Т.Н., Дегтяренко К.М., Новиков В.А. Электрофизическая и оптическая диагностика новых типов многослойных структур для приборов органической фотоники //Фундаментальные проблемы оптики – 2019. ФПО-2019 : сборник трудов XI Международной конференции, Санкт-Петербург, 21-25 октября 2019 г. СПб.: Университет ИТМО, 2019. С. 299-302.
95 Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Горн Д.И., Лозовой К.А., Дворецкий С.А., Михайлов Н.Н., Сидоров Г.Ю. Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования излучения в спектральном диапазоне 3-5 мкм //Фундаментальные проблемы оптики – 2019. ФПО-2019 : сборник трудов XI Международной конференции, Санкт-Петербург, 21-25 октября 2019 г. СПб.: Университет ИТМО, 2019. С. 331-333.
96 Unipolar superlattice structures based on MBE HgCdTe for infrared detection / Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretsky S.A. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 489.
97 Epitaxial synthesis of 2D materials of group IV elements / Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Lozovoy K.A., Dirko V.V. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 65.
98 Nanosize defect layers in arsenic-implanted and annealed HgCdTe epitaxial films studied with TEM / Korotaev A.G., Voitsekhovskii A.V., Dvoretsky S.A., Bonchyk O.Yu. [et al] // International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2019) : abstract book, 27-30 august 2019, Lviv. Kiev: LLC "Computer-publishing, information center", 2019. P. 493.
99 Механизмы формирования темнового тока в униполярных барьерных структурах на основе КРТ, вырашенного методом молекулярно-лучевой эптаксии / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Дворецкий С.А. [и др.] // Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Восьмая Международная конференция, посвященная 150-летию открытия Д.И. Менделеевым Периодического закона химических элементов. Актуальные проблемы современного материаловедения. Третья Международная Школа Молодых Ученых, 5-8 ноября 2019 г., Москва : тезисы докладов. М., 2019. С. 73. DOI: 10.26201/ISSP.2019.45.557/Def.Mater.52
100 Исследование параметров дефектов в многослойных органических структурах путем низкотемпературных измерений адмиттанса / Войцеховский А.В., Несмелов С.Н., Дзядух С.М., Коханенко А.П. [и др.] // Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов. Восьмая Международная конференция, посвященная 150-летию открытия Д.И. Менделеевым Периодического закона химических элементов. Актуальные проблемы современного материаловедения. Третья Международная Школа Молодых Ученых, 5-8 ноября 2019 г., Москва : тезисы докладов. М., 2019. С. 74. DOI: 10.26201/ISSP.2019.45.557/Def.Mater.53

Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность