ТГУ.Сотрудники
Войцеховский Александр Васильевич
Участие в конференциях
Общее число докладов - 258
1) XVI Российская конференция по физике полупроводников (РКФП-XVI)
| Уровень конференции | Всероссийский |
| Тема доклада | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 07.10.2024 - 11.10.2024 |
2) Новые информационные технологии в исследовании сложных структур (ICAM 2024). XV Международная конференция
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) |
| Тип доклада | устный |
| Дата участия | 16.09.2024 - 20.09.2024 |
3) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
4) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
5) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As |
| Тип доклада | заочное участие с публикацией доклада |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
6) XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 29.05.2024 - 31.05.2024 |
7) Нанофизика и наноэлектроника. XXVIII Международный симпозиум
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 11.03.2024 - 15.03.2024 |
8) XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике
| Уровень конференции | Международный |
| Тема доклада | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 24.01.2024 - 26.01.2024 |
9) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Исследование гомоэпитаксиального роста на поверхности Si(100) методом дифракции быстрых электронов |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 09.10.2023 - 13.10.2023 |
10) Невская фотоника-2023. Всероссийская научная конференция с международным участием
| Уровень конференции | Всероссийский с международным участием |
| Тема доклада | Униполярные барьерные nBn структуры на основе HgCdTe: состояние и перспективы |
| Тип доклада | стендовый |
| Дата участия | 09.10.2023 - 13.10.2023 |
Общее число публикаций в рамках конференций - 249
Публикации в рамках конференций
| 1 | Влияние постоянной подсветки на электрические характеристики nB(SL)n–структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XIII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: НИЯУ МИФИ, 2024. С. 285‒286. |
|
|
| 2 | Влияние подсветки на адмиттансные характеристики МДП-структур на основе nBn со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVIII Международного симпозиума, 11–15 марта 2024 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2. Н. Новгород: ИПФ РАН, 2024. С. 606‒607. |
|
|
| 3 | Характеристики МДП-систем на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 326‒328. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-326 |
|
|
| 4 | Механизмы формирования тока в nBn-структурах на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 329‒331. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-329 |
|
|
| 5 | Электрофизические характеристики МЛЭ пленок КРТ после имплантации ионов As / А.Г. Коротаев, А.В. Войцеховский, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 334‒335. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-334 |
|
|
| 6 | Дефектообразование в структурах узкозонный полупроводник – поверхностный окисел мягким рентгеновским излучением / А.В. Войцеховский, В.Г. Средин, А.В. Степанченко, А.П. Мелехов [и др.] // XXVII Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 29-31 мая 2024, Москва : материалы конференции. М.: АО «НПО «Орион», 2024. С. 339‒341. DOI: 10.51368/978-5-94836-696-8-2024-339 |
|
|
| 7 | Каширский Д.Е., Войцеховский А.В., Горн Д.И. Программное обеспечение для расчета зонной диаграммы гетероструктур с квантовыми ямами HgTe/Hg1−xCdxTe, выращенных на атомной плоскости (013) // Новые информационные технологии в исследовании сложных структур : материалы Пятнадцатой Международной конференции, 16–20 сентября 2024 г. Томск: Изд-во Том. гос. ун-та, 2024. С. 35‒36. |
|
|
| 8 | Исследование токовых и адмиттансных характеристик nB(SL)n-структур на основе HgCdTe / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, С.А. Дворецкий [и др.] // XVI Российская конференция по физике полупроводников (XVI РКФП), 7–11 октября 2024 года, Санкт-Петербург : тезисы докладов. СПб.: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, 2024. С. 133. |
|
|
| 9 | Электрофизические характеристики униполярных NBN-структур на основе HgCdTe со сверхрешёткой в барьерной области / Войцеховский А.В., Дзядух С.М., Горн Д.И., Михайлов Н.Н. [и др.] // XII Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М.: Типография НИЯУ МИФИ, 2023. С. 304‒305. |
|
|
| 10 | Электрофизические характеристики униполярных nBn- и МДП-структур на основе HgCdTe со сверхрешеткой в барьерной области / А.В. Войцеховский, С.М. Дзядух, Д.И. Горн, Н.Н. Михайлов [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVII Международного симпозиума, 13–16 марта 2023 г., Нижний Новгород : в 2 т. Т. 2 : Секция 3,5. Нижний Новгород: ИПФ РАН, 2023. С. 540‒541. |
|
Учебная деятельность
Научная деятельность
Конкурсная деятельность